[实用新型]晶体硅铸锭装置

说明书

本实用新型提供了一种晶体硅铸锭装置，其包括：用于放置硅料的坩埚、设于所述坩埚四周的护板、设于所述护板外周的加热器以及盖设于所述护板和所述坩埚上方的盖板，所述加热器用于加热熔化所述硅料，所述坩埚和所述护板之间设置有第一隔离板。本实用新型的通过在所述坩埚及护板之间设置第一隔离板，隔绝坩埚与护板之间的反应，从而降低硅料摄入碳的量，达到降低多晶硅产品替位碳含量的目的。

技术领域

本实用新型涉及光伏组件生产领域，尤其涉及一种晶体硅铸锭装置。

背景技术

目前，多晶硅铸锭炉是一种硅原料重融设备，用于低成本生产太阳能级多晶硅铸锭，其作用是将硅原料按照设定的工艺，经过加热融化、定向结晶、退火、冷却等阶段后成为沿一定方向生长的多晶硅锭。在多晶硅铸锭炉铸锭过程中，随铸锭高度的增加，多晶硅铸锭炉中替位碳浓度逐渐增加，如果替位碳浓度达到饱和浓度，多晶硅片表面会有碳沉淀生成，影响后道金刚线切割质量，无法实现多晶硅片的切割薄片化。

因此，有必要设计一种晶体硅铸锭装置，以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种降低多晶硅片生产过程中引入碳杂质的晶体硅铸锭装置。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种晶体硅铸锭装置，其包括：用于放置硅料的坩埚、设于所述坩埚四周的护板、设于所述护板外周的加热器以及盖设于所述护板和所述坩埚上方的盖板，所述加热器用于加热熔化所述硅料，所述坩埚和所述护板之间设置有第一隔离板。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述盖板下表面设置第二隔离板。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述第一隔离板和第二隔离板为钨钼合金板。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述盖板上开设安装孔，所述第二隔离板上开设相应的安装孔，所述第二隔离板通过螺栓与所述盖板固定。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述通孔与所述安装孔为长条孔。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述第一隔离板的厚度为0.5～1.5mm。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述第二隔离板的厚度为0.5～1.5mm。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述盖板的中心还设有通孔以及与所述通孔连通用于充入保护气体的导流筒，所述导流筒与所述盖板接触的部分为钨钼合金材质。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述螺栓包括相互匹配的碳碳螺杆和碳碳螺母。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述安装孔的数量为多个，其均匀分布在所述通孔的圆周方向上，且安装孔的尺寸小于通孔的尺寸。

由以上技术方案可知，本实用新型的通过在所述坩埚及护板之间设置第一隔离板，隔绝坩埚与护板之间的反应，从而降低硅料摄入碳的量，达到降低多晶硅产品替位碳含量的目的。

附图说明

图1为本实用新型晶体硅铸锭装置的示意图。

图2为本实用新型中第二隔离板的示意图。

图3为本实用新型中导流筒的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述。

请参图1所示，本实用新型提供一种晶体硅铸锭装置100，其包括：用于放置硅料的坩埚1、设于坩埚1四周的护板2、设于护板2外周的加热器4以及盖设于护板2和坩埚1上方的盖板3。