[实用新型]发光元件阵列结构有效
申请号: | 201822074118.5 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN212783455U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 刘逸群;洪培豪;贾孟寰;沈建成;李远智 | 申请(专利权)人: | 同扬光电(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张晓霞;臧建明 |
地址: | 225009 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 阵列 结构 | ||
本实用新型提供一种发光元件阵列结构,其包括基板、图案化绝缘膜层以及多个发光元件。所述基板的上表面具有图案化线路层。所述图案化绝缘膜层设置于所述基板上并覆盖所述上表面与所述图案化线路层。所述图案化绝缘膜层包括呈阵列配置的多个开口,以暴露部分所述图案化线路层,其中所述图案化绝缘膜层的顶表面的粗糙度介于0.2微米至6微米之间。所述多个发光元件以阵列形式设置于所述图案化绝缘膜层上,且所述多个发光元件通过所述多个开口而与所述图案化线路层电连接,其中所述多个发光元件中的每一个的尺寸小于或等于200微米。本实用新型提供的发光元件阵列结构,其阻焊层的平坦度较佳,且发光元件与基板之间的接合良率较高。
技术领域
本实用新型涉及一种发光元件阵列结构。
背景技术
传统的发光二极管多用于液晶显示装置的背光源或是直接做为发光像素点使用,然而后者由于分辨率不足的因素,多用于大型的广告灯板,较少应用于消费性电子产品。
近年来开始发展一种新的显示技术-次毫米发光二极管(Mini LED)以及微发光二极管(Micro LED),主要是将LED进行微小化、薄膜化、以及阵列化,其尺寸大小为微米级。上述呈阵列配置的发光元件阵列应用到显示技术上,要如何将大量的发光元件呈阵列地与基板紧密接合变得十分重要。然而,目前公知的形成阻焊层的工艺中,通常是通过滚轮涂布法及网版印刷法等方法来形成阻焊层于基板上。上述的方法所形成的阻焊层的表面平坦度不足。此外,此平坦度不佳的阻焊层会影响其厚度均匀性以及发光元件与焊垫接合的强度与电性表现。
实用新型内容
本实用新型提供一种发光元件阵列结构,其阻焊层的平坦度较佳,且发光元件与基板之间的接合良率较高。
本实用新型的一种发光元件阵列结构包括基板、图案化绝缘膜层以及多个发光元件。所述基板的上表面具有图案化线路层。所述图案化绝缘膜层设置于所述基板上并覆盖所述上表面与所述图案化线路层。所述图案化绝缘膜层包括呈阵列配置的多个开口,以暴露部分所述图案化线路层,其中所述图案化绝缘膜层的顶表面的粗糙度介于0.2微米至6微米之间。所述多个发光元件以阵列形式设置于所述图案化绝缘膜层上,且所述多个发光元件通过所述多个开口而与所述图案化线路层电连接,其中所述多个发光元件中的每一个的尺寸小于或等于200微米。
在本实用新型的一实施例中,所述多个发光元件中的每一个包括次毫米发光二极管或微发光二极管。
在本实用新型的一实施例中,所述多个发光元件分别组成多个三原色发光元件组,所述各个三原色发光元件组中的发光元件的发光色各不相同。
在本实用新型的一实施例中,所述图案化线路层包括呈阵列配置的多个接垫,分别对应所述多个开口,所述多个发光元件通过所述多个开口而与所述多个接垫电连接。
在本实用新型的一实施例中,所述多个接垫彼此结构隔离。
基于上述,由于本实用新型的发光元件阵列结构的制作方法是先于介电层上形成绝缘膜层后,再进行热压合工艺以使绝缘膜层的表面达到平坦化的效果。因此,本实用新型可达成绝缘膜层的表面平坦化以及绝缘膜层表面至介电层表面之间的厚度均匀性,因而可提升后续发光元件的接合良率。
为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本实用新型,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本实用新型的实施例,并与描述一起用于解释本实用新型的原理。
图1至图6为本实用新型实施例的一种发光元件阵列结构的制作方法的部分流程剖面示意图;
图7至图9为对图6的经平坦化的绝缘膜层进行图案化工艺的流程剖面示意图;
图10至图11为对图6的经平坦化的绝缘膜层进行图案化工艺的另一流程剖面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的