[实用新型]一种太阳能电池单元和太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池单元，所述太阳能电池单元包括太阳能电池本体，其特征在于，所述太阳能电池单元还包括设置在所述太阳能电池本体的外表面的至少一部分上的透光抗辐射层，所述透光抗辐射层能够阻止入射在该透光抗辐射层上的波长小于紫外线的波长的辐射波穿过该透光抗辐射层进入所述太阳能电池本体。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述透光抗辐射层设置在所述太阳能电池本体的采光面上，且所述透光抗辐射层能够将所述辐射波转换为波长不低于紫外线的光。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述透光抗辐射层由闪烁晶体材料制成。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述闪烁晶体材料包括碱金属卤化物闪烁晶体、碱土金属卤化物闪烁晶体、稀土金属卤化物闪烁晶体、钾冰晶石型金属卤化物闪烁晶体中的任意一者。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述透光抗辐射层的厚度在5nm至5000nm之间。

6.根据权利要求2至4中任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述太阳能电池单元还包括抗反射层，所述抗反射层设置于所述透光抗辐射层远离所述太阳能电池本体的一侧。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述抗反射层包括交替设置的二氧化硅层和五氧化二钽层，且所述二氧化硅层位于所述抗反射层靠近所述透光抗辐射层的表面。

8.根据权利要求2至4中任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述太阳能电池本体包括光电转换层，所述光电转换层包括层叠设置的N型半导体部和P型半导体部，所述N型半导体部和所述P型半导体部的材料均包括砷化镓，

所述N型半导体部远离所述P型半导体部的一侧或所述P型半导体部远离所述N型半导体部的侧面形成为所述太阳能电池本体的采光面。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述太阳能电池本体还包括设置在所述采光面上的前电极层，所述前电极层包括至少一个前电极，所述透光抗辐射层覆盖所述前电极层。

10.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括至少一个太阳能电池单元，其特征在于，所述太阳能电池单元为权利要求1至9中任意一项所述的太阳能电池单元。