[实用新型]一种便于控制的氢氟酸蒸汽刻蚀硅装置

说明书

本实用新型公开了一种便于控制的氢氟酸蒸汽刻蚀硅装置，包括箱体，所述储液瓶的出液端安装有导流管，所述导流管套接于导气管的内侧，所述导气管和导流管的端侧均安装有挡板，所述挡板的中部均匀等距开设有通孔，所述挡板的侧部安装有滑槽，所述滑槽的内部活接有滑块，所述滑块的上部安装有电动推杆，所述滑块的上部安装有卡块，所述电加热器安装于储液瓶的下部，所述箱体的下部安装有排液管，所述排液管的下部安装有收集箱，所述收集箱的侧部安装有喷嘴，所述收集箱的侧部安装有水泵。本实用新型简便的调节氢氟酸蒸汽喷入后与硅衬板的接触部位，达到有效的刻蚀，同时，有效的实现刻蚀后氢氟酸蒸汽的处理，避免影响环境。

技术领域

本实用新型涉及氢氟酸蒸汽刻蚀硅技术领域，具体为一种便于控制的氢氟酸蒸汽刻蚀硅装置。

背景技术

化学气相沉积、电子束和反应离子束刻蚀是常见的硅纳米结构制备方法，然而这些方法由于生长机制的限制，需要较高的温度或贵重设备，近年来提出的金属催化刻蚀技术可以在硅衬底表面刻蚀制备出大面积单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列，上述方法采用化学镀或物理沉积技术，在硅表面沉积一层银或金纳米颗粒薄膜，然后将处理过的硅衬底浸入含有硝酸银或双氧水的氢氟酸溶液中进行腐蚀，液相刻蚀技术不需要高温和复杂设备，但需要消耗大量的氢氟酸，用到的双氧水、硝酸银等强氧化剂毒性大且成本高，因而氢氟酸蒸汽刻蚀硅得到越来越广泛的应用。

但是，现有的氢氟酸蒸汽刻蚀硅装置是将硅衬板放置在箱体的内部，然后通入氢氟酸蒸汽进行刻蚀，不能调节氢氟酸蒸汽喷入后与硅衬板的接触范围，导致在刻蚀过程中，影响刻蚀的速度和质量，另一方面，刻蚀完成后的氢氟酸蒸汽不能进行有效的处理，影响环境且容易导致操作人员中毒。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种便于控制的氢氟酸蒸汽刻蚀硅装置，简便的调节氢氟酸蒸汽喷入后与硅衬板的接触部位，达到有效的刻蚀，同时，有效的实现刻蚀后氢氟酸蒸汽的处理，避免影响环境，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种便于控制的氢氟酸蒸汽刻蚀硅装置，包括箱体、储液瓶和电加热器，所述箱体的侧部安装有风机，所述风机的出气端通过导气管贯穿箱体的侧壁，所述储液瓶的出液端安装有导流管，所述导流管套接于导气管的内侧，所述导气管和导流管的端侧均安装有挡板，所述挡板的中部均匀等距开设有通孔，所述挡板的侧部安装有滑槽，所述滑槽的内部活接有滑块，所述滑块的上部安装有电动推杆，所述滑块的中部开有通槽，所述滑块的上部安装有卡块，所述电加热器安装于储液瓶的下部，所述箱体的下部安装有排液管，所述排液管的下部安装有收集箱，所述收集箱的侧部安装有喷嘴，所述收集箱的侧部安装有水泵，所述水泵的出水端与喷嘴连通。

优选的，所述风机的出气端和储液瓶的出气端均安装有流量调节阀，且所述风机为变频风机。

优选的，所述导流管为聚四氟乙烯导流管，所述挡板为聚四氟乙烯挡板，所述挡板向水平方向倾斜的角度在20°-30°。

优选的，所述电动推杆的侧部通过支撑架安装于箱体的上部，所述电动推杆与滑块之间安装有筋条。

优选的，所述卡块的侧壁覆盖有聚四氟乙烯密封圈，且所述卡块的侧截面呈凸字形设置。

优选的，所述收集箱的下部安装有排污管，且所述收集箱为聚四氟乙烯收集箱。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、通过储液瓶储存氢氟酸，通过电加热器加热氢氟酸产生氢氟酸蒸汽，产生的氢氟酸蒸汽进入导流管，通过风机将空气鼓入导气管，并在通孔的作用下喷射到滑槽的内部，通过通槽放置硅衬板，通过卡块对硅衬板进行固定，通过电动推杆调节硅衬板与挡板相对的位置，进而实现对硅衬板不同部位的刻蚀；

2、通过收集箱收集废弃的氢氟酸蒸汽，通过水泵将外界饱和的氢氧化钙经过喷嘴均匀的喷入收集箱，有效的对废弃的氢氟酸蒸汽进行处理，避免污染环境。