[实用新型]一种适用于高频功率器件的宽带匹配电路有效

专利信息
申请号: 201822081134.7 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN209233803U 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 杨杰;陈强;王嘉伟;南帅;张卫平;吴杰 申请(专利权)人: 江苏博普电子科技有限责任公司
主分类号: H03H11/28 分类号: H03H11/28
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 214000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 匹配电路 宽带匹配电路 两级 高频功率器件 本实用新型 封装管壳 第一级 输出端 输入端 四分之一波长 阻抗变换线 工作频率 内部设置 匹配性能 集成化 宽带
【说明书】:

本实用新型涉及一种适用于高频功率器件的宽带匹配电路,宽带匹配电路工作频率在5Ghz‑6Ghz之间,包括封装管壳,封装管壳内部设置有GaN芯片,GaN芯片两端分别设置有输入端两级匹配电路和输出端两级匹配电路,输入端两级匹配电路和输出端两级匹配电路均包括第一级匹配电路和第二级匹配电路,第一级匹配电路是L型匹配电路,第二级匹配电路是四分之一波长阻抗变换线。本实用新型提供一种集成化高、匹配性能好、功率密度高、宽带大、效率高,适用于高频功率器件的宽带匹配电路。

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域,尤其涉及功率放大器,具体涉及一种适用于高频功率器件的宽带匹配电路。

背景技术

GaN微波功率器件有着功率密度高,效率高,工作频率更高等特点,在军品和民品市场方面,相比于其他工艺的产品具有较大的优势,因此得到了广泛应用。目前由于微型化、大 带宽的要求,在高频原本就难匹配的情况下,要实现微波功率器件功率密度高、带宽大、效率高更是难上加难。

因此需要研发一种集成化高、匹配性能好、功率密度高、带宽大、效率高,适用于高频功率器件的宽带匹配电路。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种集成化高、匹配性能好、功率密度高、宽带大、效率高,适用于高频功率器件的宽带匹配电路。

为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为:一种适用于高频功率器件的宽带匹配电路,宽带匹配电路工作频率在5Ghz-6Ghz之间,包括封装管壳,封装管壳内部设置有GaN芯片,GaN芯片两端分别设置有输入端两级匹配电路和输出端两级匹配电路,输入端两级匹配电路和输出端两级匹配电路均包括第一级匹配电路和第二级匹配电路,第一级匹配电路是L型匹配电路,第二级匹配电路是四分之一波长阻抗变换线。

本实用新型一个较佳实施例中,L型匹配电路包括串联电感和对地电容。

本实用新型一个较佳实施例中,四分之一波长阻抗变换线是以氧化铝为衬底的微带线,能在5Ghz-6Ghz可实现10Ω至50Ω的阻抗变换。

本实用新型一个较佳实施例中,串联电感由键合金丝组成。

本实用新型一个较佳实施例中,对地电容采用可调单层电容。

本实用新型一个较佳实施例中,四分之一波长阻抗变换线的特征阻抗为22.3Ω,电长度为90°。

本实用新型一个较佳实施例中,输入端两级匹配电路包括第一L型匹配电路中的第一串联电感和第一对地电容,以及输入端四分之一波长阻抗变换线;输出端两级匹配电路包括第二L型匹配电路中的第二串联电感和第二对地电容,以及输出端四分之一波长阻抗变换线。

本实用新型一个较佳实施例中,适用于高频功率器件的宽带匹配电路的控制方法,信号从封装管壳的输入端引入,传入输入端四分之一波长阻抗变换线的第一输入端,然后从输入端四分之一波长阻抗变换线的第一输出端输出,依次经过第一串联电感、第一对地电容、第一键合金丝到达GaN芯片输入端;接着从GaN芯片输出端经过第二串联电感、第二对地电容、第二键合金丝传入输出端四分之一波长阻抗变换线的第二输入端,再通过从输出端四分之一波长阻抗变换线的第二输出端与封装管壳的输出端连接输出。

本实用新型解决了背景技术中存在的缺陷,本实用新型的有益效果是:

本实用新型的一种适用于高频功率器件的宽带匹配电路,两级匹配电路可以增加器件工作带宽,解决GaN芯片在高频下实部阻抗小、难于宽带匹配的问题,同时由于第二级微带线为固定阻抗变换,因此只需调试第一级匹配电路,减少工作量、便于生产;四分之一波长阻抗变换线可以有效减少信号传输过程中的损耗,增加回波损耗,提高增益,且线宽较宽,不会产生电迁移从而保障了器件的长期可靠性;最终实现一种适用于高频功率器件的宽带匹配电路。

附图说明

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