[实用新型]一种高电压低纹波输出电路有效
申请号: | 201822081525.9 | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN209375459U | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 曹贺;钱卫东 | 申请(专利权)人: | 苏州索拉科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156;H02M1/14;H02M1/32 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215006 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调整元件 电阻反馈网络 输出电路 高电 纹波 过流保护电路 输出纹波电压 本实用新型 误差放大器 折返 线性电压调节器 电源电路结构 电阻分压器 电源电压 电源输出 调整器件 开关电源 线性参考 反馈环 灵活度 三极管 增强型 功耗 可选 漏出 电路 清晰 | ||
1.一种高电压低纹波输出电路,其特征在于:高电压低纹波输出电路是线性电压调节器电路包括PASS调整元件、误差放大器和电阻反馈网络、线性参考源、折返过流保护电路;所述PASS调整元件是PMOS场效应晶体管;电阻反馈网络采用电阻分压器;所述折返过流保护电路包括三极管和增强型MOS管;电阻反馈网络和误差放大器组成反馈环,PASS调整元件为电源输出调整器件通过PASS调整元件实现较低的漏出电压。
2.根据权利要求1所述的一种高电压低纹波输出电路,其特征在于:所述折返过流保护电路包括PNP三极管Q1和增强型P型MOS管M1,通过PNP三极管Q1的集电极电流Ic控制增强型P型MOS管M1的饱和区的状态,以此来调节输出电流的大小。
3.根据权利要求2所述的一种高电压低纹波输出电路,其特征在于:折返过流保护电路包括电源输入端V1与PASS调整元件的GMP输入端PinA之间串接有电流检测电阻Rsence和P型MOS管M1,所述电流检测电阻Rsence左侧支接一路连接有电阻R2,电流检测电阻Rsence右侧支接一路连接有电阻R3,电阻R2的另一端与三极管Q1的发射极连接,电阻R3的另一端与三极管Q1的基极连接,三极管Q1的集电极分成两路,一路与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端与电流检测电阻Rsence和电阻R2连接点连接,三极管Q1的集电极的另一路串接电阻R4与P型MOS管M1栅极端连接,P型MOS管M1的源极端与电流检测电阻Rsence连接,且P型MOS管M1的漏极端与PASS调整元件输入端连接,且三极管Q1的基极通过串接电阻R5与高电压低纹波输出电路的Vout端连接。
4.根据权利要求3所述的一种高电压低纹波输出电路,其特征在于:所述高电压低纹波输出电路的PASS调整元件、误差放大器和电阻反馈网络包括,与P型MOS管M1的漏极端连接的PASS调整元件GMP,PASS调整元件GMP的输入端PinA与折返过流保护电路输出端连接,PASS调整元件GMP的输出端PinB与输入端PinA之间设置有电阻Ro-pass,高电压低纹波输出电路通过Vout端输出,且输出端PinB与Vout端连接,且输出端PinB与Vout端之间支接两路一路连接电阻R5后与三极管Q1的基极连接,另一路通过串接电阻R7和电阻R8后接GND,且电阻R7和电阻R8两端并联电阻R9和电容C2的串联电路,
PASS调整元件GMP的控制端PinC与误差放大器Gma输出端连接,且输入端PinA通过电容C3接GND,误差放大器Gma输出端通过电容C1和电阻R6的并联电路接GND,且,误差放大器Gma负极输入端与串接电阻R7和电阻R8的串接端连接,误差放大器Gma正极输入端通过参考电压Vref接GND;Vout端与GND之间并联有负载R11。
5.根据权利要求2所述的一种高电压低纹波输出电路,其特征在于:高电压低纹波输出电路的环路电源调整率是:
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其中, 是低频开环增益, 和 分别是pass元件的跨导和输出电阻,是分压器反馈网络的结果, 是输出电压变化值, 是输入电压变化值, 是参考电压变化值。
6.根据权利要求2所述的一种高电压低纹波输出电路,其特征在于:高电压低纹波输出电路的环路负载调节率表示输出电压与输出电流之比,环路负载调整率是:
;
其中, 是低频开环增益, 是pass元件的输出电阻,是分压器反馈网络的结果, 是输出电压变化值, 是输入电压变化值。
7.根据权利要求2所述的一种高电压低纹波输出电路,其特征在于:高电压低纹波输出电路包括静态设计特征、动态设计特征、高频设计特征;所述静态设计特征通过温度系数分析实现,温度系数这个参数是输出电压的温度依赖性结果,并可以反应出由于参考电压的温度漂移而产生的输出电压变化和误差放大器的输入偏置电压的变化,温度系数方程如下:
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其中,是输出电压,Temp是pass元件温度,是温度变化范围内的输出电压变化,和分别是误差放大器参考电压和误差放大器输入偏置电压的变化,代表求偏导数。
8.根据权利要求7所述的一种高电压低纹波输出电路,其特征在于:所述高频设计特征采用电源抑制比PSRR进行衡量设计指标;电源抑制比PSRR是电源稳压器抑制输入电压源高频噪声的能力;电源抑制比PSRR是双极晶体管寄生电容的函数,与电源增益的倒数成正比,方程是:
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其中,为电路系统开环增益,为系统电源增益。
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