[实用新型]一种C波段集成链路微波功率放大器

说明书

本实用新型涉及一种C波段集成链路微波功率放大器，封装管壳内部设置有两级放大电路，栅极供电端通过微带线接连栅极分压电路，通过栅极分压电路给两级放大电路供电；漏极供电端连接漏极电路给两级放大电路供电；两级放大电路包括前级驱动放大电路和后级放大电路；信号通过信号输入端引脚引入前级驱动放大电路被放大，通过后级放大电路进一步放大后由信号输出端引脚输出；前级驱动放大电路包括GaN功率放大微波单片集成电路（MMIC）芯片，后级放大电路包括GaN功率放大芯片、两级匹配电路、偏置电路。本实用新型提供一种C波段微小化、密集型、高增益以及较高效率的微波链路功率放大器电路。

技术领域

本实用新型涉及一种功率放大器，尤其涉及一种C波段集成链路微波功率放大器。

背景技术

功率放大器，简称“功放”，是指在给定失真条件下，能产生最大功率输出以驱动某一负载的放大器。功率放大器在某种程度上主宰着整个系统能否提供具备良好特性的输出功率。

GaN微波功率器件有着功率密度高、效率高、工作频率更高等特点，在军品和民品市场方面，相比于其他技术的产品具有较大的优势，因此得到了广泛应用。目前由于微型化和低成本的要求，器件一般采用通用的封装管壳进行器件封装，器件内部空间有限，需要放入GaN芯片、偏置电路、分压电路等，能放入的部件有限，这就使器件的增益有了一定局限性。在这样的条件下，要实现微小化、密集型、高增益以及较高效率的微波链路功率放大器就比较困难。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种C波段微小化、密集型、高增益以及较高效率的微波链路功率放大器电路。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种C波段集成链路微波功率放大器，包括封装管壳，封装管壳1内部设置有两级放大电路，封装管壳1上设置有与两级放大电路连接的栅极供电端2、信号输入端引脚3、漏极供电端4、信号输出端引脚5；栅极供电端2通过微带线8接连栅极分压电路9，通过栅极分压电路9给两级放大电路供电；漏极供电端4连接漏极电路10给两级放大电路供电；两级放大电路包括前级驱动放大电路和后级放大电路；信号通过信号输入端引脚3引入前级驱动放大电路被放大，通过后级放大电路进一步放大后由信号输出端引脚5输出；前级驱动放大电路包括GaN功率放大MMIC 芯片17，后级放大电路包括GaN芯片7、两级匹配电路、偏置电路；所述两级匹配电路包括与GaN芯片7的GaN芯片栅极71连接的L型第一匹配电路，以及与GaN芯片7的GaN芯片漏极72连接的L型第二匹配电路；所述L型第一匹配电路包括第一匹配电容6和第一键合金丝电感16，所述L型第二匹配电路包括第二键合金丝电感161和第二匹配电容18。

本实用新型一个较佳实施例中，封装管壳1内部还集成了偏置电路，偏置电路包括与后级放大电路并联的第一偏置电容121和第二偏置电容122；以及设置在后级放大电路输出端的隔直电容123。第一偏置电容121针对C波段设计的第一四分之一波长线15起到通直流阻交流信号的作用，第二偏置电容122针对C波段设计的第二四分之一波长线93起到通直流阻交流信号的作用。隔直电容123防止直流信号通过。

本实用新型一个较佳实施例中，GaN功率放大MMIC芯片17上设置有2个栅极171、2个漏极172、芯片信号输入端173、芯片信号输出端174。

本实用新型一个较佳实施例中，GaN芯片7上设置有GaN芯片栅极71、GaN芯片漏极72。

本实用新型一个较佳实施例中，栅极分压电路9包括与GaN功率放大MMIC芯片17的栅极171连接的第一供电传输线921，以及与GaN芯片7的GaN芯片栅极71连接的第二供电传输线922；栅极分压电路9的第一供电传输线921上串联第一分压电阻911，第二供电传输线922上串联第二分压电阻912。

本实用新型一个较佳实施例中，漏极电路10包括与GaN功率放大MMIC芯片17的漏极172连接的第三供电传输线101，以及与GaN芯片7的GaN芯片漏极72连接的第四供电传输线102。