[实用新型]一种接地网信号探测系统有效
申请号: | 201822082501.5 | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN209878912U | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 赵荣普;张国志;李梦滔;白添凯;陈欣;代正元;方有 | 申请(专利权)人: | 云南电网有限责任公司昆明供电局 |
主分类号: | G01R31/02 | 分类号: | G01R31/02 |
代理公司: | 44217 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 650000*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探测线圈 信号处理电路 采集分析系统 本实用新型 输入端 电磁感应原理 电压调节电路 感应电压信号 激励信号频率 信号探测系统 工频陷波器 锁相放大器 信号输出端 一体化结构 仪表放大器 导体 电磁干扰 强度转变 缺陷诊断 锁相放大 有效抑制 接地 磁感应 导波管 分辨率 接地网 屏蔽板 输出端 频点 测量 地表 激发 配合 | ||
本实用新型涉及一种接地网信号探测系统,包括探测线圈、信号处理电路和采集分析系统,所述探测线圈的信号输出端接信号处理电路的输入端,信号处理电路的输出端接采集分析系统的输入端,所述信号处理电路包括仪表放大器、工频陷波器、电压调节电路以及锁相放大器,所述探测线圈包括一体化结构的探测线圈框架、分别设置在所述探测线圈框架两侧的探测线圈屏蔽板以及探测线圈导波管。本实用新型基于电磁感应原理和锁相放大技术,利用探测线圈将接地网网格导体在地表激发的磁感应强度转变为感应电压信号,通过与激励信号频率的配合,能够有效抑制现场的电磁干扰,拨开主要干扰频点,使测量精度和分辨率能够满足缺陷诊断要求。
技术领域
本实用新型涉及接地网检测技术领域,具体而言,涉及一种接地网信号探测系统。
背景技术
输电铁塔接地网在电力输送的安全运行中起着十分重要的作用,其接地性能直接关系到输电线路的正常运行,我国的接地网大多采用钢材质制作,随着使用年限的增长,多雨和沿海地区,易发生接地网导体的锈蚀或断裂,影响接地网的接地性能。接地装置一般为网格状的接地体,常常利用扁钢、圆钢、角钢、钢管或铜质材料等焊接组成网格,该网格常常埋于地下0.6~1米的深度,以便实现均压、散流和减小接地电阻的作用,根据需要在不同的网格位置处有接地导体与地面的电气设备相连。当输电线路发生短路或遭受雷击等故障时,瞬间的大电流经接地网分散入地,接地电阻越小,接地网的电位升就越低,这样地表的电位以及与接地网相连的电气设备的电位就低,从而保护电气设备和输电线路内工作人员的人身安全。但是钢质材料的接地网,在多雨和沿海地区,随着使用年限的增加,易发生腐蚀,可能使接地导体变细甚至断裂,破坏了接地网的原有结构,降低了接地性能,丧失了保护功能。
近年来,查找接地网断点和严重腐蚀段已成为电力部门一项重大的反事故措施。电力部门诊断接地网腐蚀或断裂缺陷的常用方法就是过一定年限后抽样挖开检查,根据输电线路处土壤的大致结构和腐蚀率,凭经验估计接地网网格导体的腐蚀程度。这种方法具有盲目性,工作量大,需要消耗大量的人力、物力和财力,同时还受到现场运行条件的制约,很难准确的诊断接地网缺陷。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种诊断效率高、操作简便、测量准确的接地网信号探测系统。
本实用新型采用的技术方案是:提供一种接地网信号探测系统,包括:探测线圈;信号处理电路,其输入端与所述探测线圈的输出端相连;采集分析系统,其输入端与所述信号处理电路的输出端相连;其中,所述信号处理电路包括:仪表放大器、工频陷波器、电压调节电路以及锁相放大器,所述仪表放大器的输入端与所述探测线圈相连,且所述仪表放大器、所述工频陷波器和所述电压调节电路依次相连,所述电压调节电路的输出端与所述采集分析系统相连;所述采集分析电路,包括:第一电阻(R2)、第二电阻(Rfb4)、第三电阻(Rfb3)、第四电阻(Rfb2)、第五电阻(Rfb1)、第六电阻(R1b)、第一MOS管(Q1)、第一三极管(Q2)、第二三极管(Q3)、第三三极管 (Q4)、第四三极管(Q5)、第五三极管(Q6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、控制器(U1)、二极管(V2);
所述采集分析电路的输入端与所述二极管(V2)的阴极、所述第一电容 (C1)的一端、所述第二电容(C2)的一端以及所述控制器(U1)的输入端、所述第一MOS管(Q1)漏极相连,所述二极管(V2)的阳极通过第一电阻 (R2)接地,且所述二极管(V2)的阳极与所述第一三极管(Q2)的基极相连,所述第一三极管(Q2)的发射极与所述第一电容(C1)的另一端相连,所述第一三极管(Q2)的集电极接地,所述控制器(U1)的工作电压与所述第二电容(C2)的另一端相连,所述控制器(U1)的门极与所述第一MOS 管(Q1)的栅极相连;
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