[实用新型]一种超高速GaN宽带功放脉冲调制电路

说明书

本实用新型公开了一种超高速GaN宽带功放脉冲调制电路，包括负控正保护电路、门电路、驱动电路和功率开关，所述负控正保护电路电性连接门电路，所述门电路电性连接驱动电路，所述驱动电路电性连接功率开关。本实用新型实现了负控正保护电路，超高速调制高电压的功能过。

技术领域

本实用新型涉及电子通信技术领域，特别涉及一种超高速GaN宽带功放脉冲调制电路。

背景技术

由于雷达发射机技术指标要求的不断提高，对雷达发射机的核心发射组件部分的要求也越来越高。特别是对高功率集成式固态发射机的大功率发射组件的体积、重量均提出了更高要求。为了研制出体积更小、重量更轻、可靠性更高的发射组件以满足陆基、海基等多种平台适装性的要求，在功放组件的设计制造中越来越多使用GaN功率放大器。GaN材料作为第三代半导体的主要材料，与一、二代半导体材料相比，具有工作频段宽、工作电压高、单位面积功率密度高、热传导率高等特点，是未来雷达系统功率器件应用的主要形式和发展方向。

功率器件是T/R组件中最重要的构成部件，控制其脉冲工作的功率调制电路也是不可缺少的电路结构，其性能优劣对T/R组件的发射支路有着极其重要的影响。由于GaAs工艺的功率放大器件工作电压较低，其调制电路相对容易实现且技术结构都已经成熟。GaN功率器件漏极调制电路与传统的低压调制电路相比，提高了调制开关管漏-源电压的耐压要求。但是GaN功率放大器件在国内才刚刚起步，其漏极调制电路也处在研究的初级阶段，主要难点在于调制器件的栅-源电压限制、功率器件关闭后的放电回路设计以及调制器件本身的驱动能力等问题。

GaN功率放大器对供电时序有严格的要求，必须先供栅极负电再供漏极正电，否则将导致漏源击穿，损坏功率放大器。为此，我们提出一种超高速GaN宽带功放脉冲调制电路。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种超高速GaN宽带功放脉冲调制电路，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种超高速GaN宽带功放脉冲调制电路，包括负控正保护电路、门电路、驱动电路和功率开关，所述负控正保护电路电性连接门电路，所述门电路电性连接驱动电路，所述驱动电路电性连接功率开关。

进一步地，所述负控正保护电路电性连接有TTL电平。

进一步地，所述TTL电平与负控正保护电路的输出控制门电路。

进一步地，所述门电路的输出控制驱动电路。

进一步地，所述驱动电路控制功率开关对GaN功率管漏极的加断电进行控制。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：本超高速GaN宽带功放脉冲调制电路，实现了负控正保护电路，超高速调制高电压的功能。

附图说明

图1为本实用新型超高速GaN宽带功放脉冲调制电路的整体结构示意图。

图2为本实用新型超高速GaN宽带功放脉冲调制电路的电路结构示意图。

图中：1、负控正保护电路；2、门电路；3、驱动电路；4、功率开关。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

如图1-2所示，一种超高速GaN宽带功放脉冲调制电路，包括负控正保护电路1、门电路2、驱动电路3和功率开关4，所述负控正保护电路1电性连接门电路2，所述门电路2电性连接驱动电路3，所述驱动电路3电性连接功率开关4。

其中，所述负控正保护电路1电性连接有TTL电平。