[实用新型]背照式图像传感器

说明书

一种背照式图像传感器，包括置于衬底中的电荷积累区域，设置在衬底的前侧表面上的绝缘层，设置在绝缘层上对应于电荷积累区域的光反射图案，设置在衬底的背侧表面上的抗反射层，设置在抗反射层上并具有对应于电荷积累区域的开口的光阻图案，设置在光阻图案上的滤色层，以及设置在滤色层上的微透镜阵列。

技术领域

本公开涉及一种背照式图像传感器。

背景技术

通常，图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件，并可分类或归类为电荷耦合器件(CCD)或CMOS图像传感器(CIS)。

CMOS图像传感器包括单位像素，其各包括光电二极管和MOS晶体管。CMOS图像传感器使用切换方法依次检测单位像素的电信号，从而形成图像。CMOS图像传感器可分为前照式图像传感器和背照式图像传感器。

前照式图像传感器可包括形成于衬底中的光电二极管，形成在衬底的前侧表面上的晶体管，形成在衬底的前侧表面上的布线层，以及形成在布线层上的滤色层和微透镜阵列。

背照式图像传感器相较于前照式图像传感器可具有提高的光接收效率。背照式图像传感器可包括形成在衬底的前侧表面上的晶体管和布线层，形成在衬底的背侧表面上的光阻图案和抗反射层，形成在光阻图案和抗反射层上的钝化层，以及形成在钝化层上的滤色层和微透镜阵列。

实用新型内容

本公开提供了一种具有提高的灵敏性的背照式图像传感器。

根据本公开的一个方面，一种背照式图像传感器可包括置于衬底中的电荷积累区域，设置在衬底的前侧表面上的绝缘层，设置在绝缘层上对应于电荷积累区域的光反射图案，设置在衬底的背侧表面上的抗反射层，设置在抗反射层上且具有对应于电荷积累区域的开口的光阻图案，设置在光阻图案上的滤色层，以及设置在滤色层上的微透镜阵列。

根据本公开的一些示例性实施例，背照式图像传感器还可包括设置在绝缘层上的蚀刻停止层，设置在蚀刻停止层上的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上并与电荷积累区域电连接的布线图案。

根据本公开的一些示例性实施例，蚀刻停止层和第二绝缘层可具有对应于电荷积累区域的第二开口，且光反射图案可设置在第二开口中。

根据本公开的一些示例性实施例，光反射图案可包括钨。

根据本公开的一些示例性实施例，背照式图像传感器还可包括穿过绝缘层、蚀刻停止层和第二绝缘层与布线图案连接的接触插头。光反射图案可由与接触插头相同的材料制成。

根据本公开的一些示例性实施例，光反射图案可包括铝或铜。

根据本公开的一些示例性实施例，背照式图像传感器还可包括设置在绝缘层上并与电荷积累区域电连接的布线图案。光反射图案可由与布线图案相同的材料制成。

根据本公开的一些示例性实施例，背照式图像传感器还可包括设置在衬底的前侧表面和电荷积累区域之间的前侧钉扎层，以及设置在衬底的背侧表面和电荷积累区域之间的背侧钉扎层。

根据本公开的一些示例性实施例，背照式图像传感器还可包括设置在抗反射层和光阻图案上的钝化层。

根据本公开的一些示例性实施例，背照式图像传感器还可包括设置在抗反射层和光阻图案上的扩散阻挡层。

上面对本公开的概述并不旨在描述本公开每个所阐明的实施例或每个实施方式。下面的具体实施方式和权利要求更特别地例示了这些实施例。

附图说明

结合附图、根据以下描述能够更加详细地理解示例性实施例，其中：

图1为根据本公开一示例性实施例的背照式图像传感器的剖面图；

图2为根据本公开另一示例性实施例的背照式图像传感器的剖面图；