[实用新型]高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构有效
| 申请号： | 201822090104.2 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN209087856U | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 | 申请（专利权）人： | 江苏爱康能源研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 | 代理人： | 隋玲玲 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂层 导电膜 非晶硅本征层 异质结太阳能电池 本实用新型 电极结构 高匹配度 非晶硅 晶硅 光电转换效率 太阳能电池 低功函数 高功函数 减反射层 接触电阻 双面沉积 透明导电 功函数 背面 | ||
1.一种高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构，它包括N型晶体硅片（1），所述N型晶体硅片（1）的正面和背面均设有非晶硅本征层（2），其特征在于：所述正面的非晶硅本征层（2）的外侧设有n型非晶硅掺杂层（3），所述n型非晶硅掺杂层（3）的外侧设有n面TCO导电膜（5），所述n面TCO导电膜（5）的外侧设有若干Ag电极（7）；所述背面的非晶硅本征层（2）外侧设有p型非晶硅掺杂层（4），所述p型非晶硅掺杂层（4）的外侧设有p面TCO导电膜（6），所述p面TCO导电膜（6）的外侧设有若干Ag电极（7）；所述n面TCO导电膜（5）采用功函数低于p面TCO导电膜（6）的TCO作为透明导电减反射层。
2.根据权利要求1所述的一种高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构，其特征在于：所述n面TCO导电膜（5）采用功函数为3.5~4.7eV的TCO作为透明导电减反射层。
3.根据权利要求1所述的一种高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构，其特征在于：所述p面TCO导电膜（6）采用功函数为5.1~6.9eV的TCO作为透明导电减反射层。
4.根据权利要求1所述的一种高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构，其特征在于：所述n面TCO导电膜（5）的厚度为70~110nm，所述p面TCO导电膜（6）的厚度为70~110nm。
5.根据权利要求1所述的一种高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构，其特征在于: 所述非晶硅本征层（2）厚度为5~10nm。
6.根据权利要求1所述的一种高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构，其特征在于: 所述n型非晶硅掺杂层（3）厚度为4~8nm，所述p型非晶硅掺杂层（4）的厚度为7~15nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
