[实用新型]一种高利用率多晶硅片有效
申请号: | 201822097478.7 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN209561430U | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 钱义龙;杨增辉;贾积凯 | 申请(专利权)人: | 青海水利水电集团共和光伏发电有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0236 |
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地址: | 810000 青海省海南藏*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 竖向固定板 硅片本体 导向杆 本实用新型 钢化玻璃层 横向固定板 多晶硅片 高利用率 插管 凹坑 滑轨 螺帽 凹坑横截面 第二电极 第一电极 均匀设置 上端螺纹 转轴连接 弹性件 清理辊 上表面 太阳光 椭圆状 橡胶垫 插接 插孔 滑块 卡槽 陷光 圆孔 | ||
本实用新型公开了一种高利用率多晶硅片,包括硅片本体、横向固定板和竖向固定板,所述硅片本体上表面设置有凹坑,所述硅片本体和卡槽之间设置有橡胶垫,所述竖向固定板一侧设置有插管,所述插管插接在横向固定板的插孔内,所述竖向固定板上侧设置有滑轨和导向杆,所述滑轨通过滑块和清理辊两端的转轴连接,所述导向杆上端螺纹连接有螺帽,所述导向杆插入第二钢化玻璃层上的圆孔内,所述第二钢化玻璃层和竖向固定板之间设置有弹性件,所述P型硅片一侧设置有第一电极,所述N型硅片一侧设置有第二电极。本实用新型通过凹坑横截面呈椭圆状,凹坑均匀设置在硅片本体上,能够很好的进行陷光,从而很好的提高了太阳光的利用率。
技术领域
本实用新型涉及多晶硅片技术领域,具体为一种高利用率多晶硅片。
背景技术
多晶硅片能够很好的利用太阳能进行发电,绿色环保,因此被广泛的使用,现有的多晶硅片只具有一层钢化玻璃层,在遇到冲击时,虽然起到缓冲和保护的作用,但是冲击力依然会造成多晶硅片的损坏,无法很好的保护多晶硅片,而且现有的多晶硅片对太阳光的反射率较高,因此太阳光的利用率较低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高利用率多晶硅片,旨在改善太阳光的利用率较低和无法很好的保护多晶硅片问题。
本实用新型是这样实现的:
一种高利用率多晶硅片,包括硅片本体、横向固定板和竖向固定板,所述硅片本体上表面设置有凹坑,所述硅片本体四周卡接在横向固定板和竖向固定板上的卡槽内,所述硅片本体和卡槽之间设置有橡胶垫,所述橡胶垫粘接在卡槽内壁上,所述竖向固定板一侧设置有插管,所述插管插接在横向固定板的插孔内,所述横向固定板和竖向固定板之间通过连接螺栓连接,所述竖向固定板上侧设置有滑轨和导向杆,所述滑轨通过滑块和清理辊两端的转轴连接,所述导向杆上端螺纹连接有螺帽,所述导向杆插入第二钢化玻璃层上的圆孔内,所述第二钢化玻璃层和竖向固定板之间设置有弹性件,所述硅片本体包括第一钢化玻璃层、P型硅片、N型硅片和聚氟乙烯复合膜,所述P型硅片一侧设置有第一电极,所述N型硅片一侧设置有第二电极,所述第一电极和第二电极穿出竖向固定板上的通孔,所述通孔内壁设置有绝缘圈。
进一步的,所述凹坑横截面呈椭圆状,所述凹坑均匀设置在硅片本体上。
进一步的,所述弹性件为弹簧,所述弹性件套接在导向杆上。
进一步的,所述绝缘圈为橡胶绝缘圈,所述绝缘圈粘接在通孔内壁上。
进一步的,所述清理辊下侧紧贴硅片本体上侧,所述清理辊长度和硅片本体长度相同。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
(1)、本实用新型通过凹坑横截面呈椭圆状,凹坑均匀设置在硅片本体上,能够很好的进行陷光,从而很好的提高了太阳光的利用率。
(2)、通过弹性件为弹簧,弹性件套接在导向杆上,弹性件和第二钢化玻璃层配合,很好的保护了硅片本体。
(3)、通过绝缘圈为橡胶绝缘圈,绝缘圈粘接在通孔内壁上,能够很好的避免出现第一电极和第二电极使得横向固定板和竖向固定板导电的状况。
(4)、通过清理辊下侧紧贴硅片本体上侧,清理辊长度和硅片本体长度相同,方便对硅片本体表面进行清理。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本实用新型第一实施例的一种高利用率多晶硅片主视图;
图2是图1所示的一种高利用率多晶硅片的硅片本体结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的