[实用新型]一种反式注入合成连续VGF晶体生长坩埚及装置

权利要求书

1.一种反式注入合成连续VGF晶体生长坩埚，包括合成部（10-1）、晶体生长部（10-3）及底端的籽晶部（10-4），其特征在于，所述合成部（10-1）设置在晶体生长部（10-3）的上方，并借助中间毛细孔（10-2）与晶体生长部（10-3）连通；所述籽晶部（10-4）在晶体生长部（10-3）下方，且两者连通。

2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述的毛细孔（10-2）的数量设有一个以上。

3.根据权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于：所述的毛细孔（10-2）的半径r与合成部（10-1）的高度h之间关系为：

其中，ρ为熔体的密度，g为重力加速度，σ为熔体的界面张力。

4.根据权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于：所述的毛细孔（10-2）的半径为0.1mm-0.15mm。

5.一种反式注入合成连续VGF晶体生长装置，包括炉体、安装在炉体内的坩埚（10）、保温系统、加热系统、温度控制系统及气压调节系统，其特征在于：所述坩埚（10）为反式注入合成连续VGF晶体生长坩埚。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于：所述装置在坩埚合成部（10-1）与晶体生长部（10-3）之间设置隔热层（15）。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于：所述炉体顶部设有观察窗（19）。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于：所述加热系统包括设置在坩埚（10）外围的加热丝（28），所述温度控制系统包括热偶，所述气压调节系统包括探入坩埚（10）内的充放气管道（11）。