[实用新型]提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路及充放电电路

权利要求书

1.一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，特征在于，包括：基本保护电路、钳压电路、栅极衬底控制电路和充放电控制MOS管；

所述充放电控制MOS管的源极和漏极的一端连接至电池负端，所述充放电控制MOS管的源极和漏极的另一端连接至充电器负极或负载；所述充放电控制MOS管的栅极和衬底分别连接至所述栅极衬底控制电路；

所述钳压电路用于钳制栅极衬底控制电路的供电电压。

2.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于：所述栅极衬底控制电路包括栅极控制部分和衬底控制部分；所述栅极控制部分与所述充放电控制MOS管的栅极连接，所述衬底控制部分与所述充放电控制MOS管的衬底连接。

3.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于，所述钳压电路包括分压电阻R5与齐纳管；所述分压电阻R5的一端连接至供电电压VDD，所述分压电阻R5的另一端连接至所述齐纳管的负极，所述齐纳管的正极连接VSS端。

4.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于，所述钳压电路包括分压电阻R5与N个单向串联的二极管，N≥1；

所述分压电阻R5的一端连接至供电电压VDD，所述分压电阻R5的另一端连接至所述N个单向串联的二极管的正端，所述N个单向串联的二极管的负端连接至VSS端。

5.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于，所述钳压电路包括分压电阻R5与N个串联的NMOS管，N≥1；

所述分压电阻R5的一端连接至供电电压VDD，所述分压电阻R5的另一端通过所述N个串联的NMOS管连接至VSS端。

6.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于，所述钳压电路包括分压电阻R5与N个串联的PMOS管，N≥1；

所述分压电阻R5的一端连接至供电电压VDD，所述分压电阻R5的另一端通过所述N个串联的PMOS管连接至VSS端。

7.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于，所述钳压电路包括低压差线性稳压器。

8.如权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，特征在于，还包括：

过温保护电路，用于检测在充放电时所述电池保护电路所集成芯片的温度。

9.如权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，特征在于，所述基本保护电路具体包括：

基准电路，放电过流比较器、放电短路比较器、充电过流比较器、过放电压比较器、过充电压比较器、延时电路、充放电检测电路。

10.一种电池充电电路，特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，以及充电器、电池、RC滤波电路，其中：

所述RC滤波电路中电阻R0的一端与供电电压VDD端连接，所述电阻R0的另一端与所述电池正极连接；

所述RC滤波电路中电容C0的一端与所述供电电压VDD端连接，所述电容C0的另一端同所述电池的负极连接，所述充电器的正极与所述电池的正极连接，为所述电池提供充电电压，所述充电器的负极通过所述充放电控制MOS管与所述电池的负极连接。

11.一种电池放电电路，特征在于，包括如权利要求1至10中任一项所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，以及RC滤波电路、电池、负载，其中：

所述RC滤波电路中电阻R0的一端与供电电压VDD端连接，所述电阻R0的另一端与所述电池的正极连接；

所述RC滤波电路中电容C0的一端与所述供电电压VDD端连接，所述电容C0的另一端同所述电池的负极连接；

所述电池的正极与所述负载的正极连接，为所述负载提供电源，所述负载的负极通过所述充放电控制MOS管与所述电池的负极连接。