[实用新型]一种欠压保护电路有效

专利信息
申请号: 201822105321.4 申请日: 2018-12-15
公开(公告)号: CN209001565U 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 黄如星;卢文登 申请(专利权)人: 深圳市捷诚技术服务有限公司
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24;H02H3/06
代理公司: 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 代理人: 黄晓玲
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电阻 三极管 欠压保护电路 控制极 输入端 源极 发射极接地 输出端连接 输入端电压 输入端连接 电路成本 电阻串联 电阻连接 分压支路 基极连接 欠压保护 用电设备 正常电压 自动恢复 对设备 集电极 开关管 输出端 漏极 电路 供电
【权利要求书】:

1.一种欠压保护电路,其特征在于包括输入端、输出端、三极管、MOS管以及周边电阻,一第一电阻与一第二电阻串联后连接于输入端与地之间,构成分压支路;所述三极管的基极连接于第一电阻与第二电阻之间的节点上,所述三极管为NPN型三极管时,三极管的集电极与MOS管的控制极连接,三极管的发射极接地,所述三极管为PNP型三极管时,三极管的发射极与MOS管的控制极连接,三极管的集电极接地;一第三电阻连接于MOS管的控制极与源极之间,MOS管的源极与输入端连接,MOS管的漏极与输出端连接。

2.如权利要求1所述的欠压保护电路,其特征在于,还包括第四电阻,所述第四电阻一端与MOS管的控制极连接,另一端与NPN型三极管的集电极连接或另一端与PNP型三极管的发射极连接。

3.如权利要求2所述的欠压保护电路,其特征在于,还包括第五电阻,所述第三电阻与所述第四电阻具有公共节点,所述第五电阻一端连接于MOS管的控制极,另一端连接到第三电阻与第四电阻之间的节点上,第三电阻与所述第四电阻通过所述第五电阻与MOS管的控制极连接。

4.一种欠压保护电路,其特征在于,包括输入端、输出端、第一MOS管、第二MOS管以及周边电阻,一第一电阻与一第二电阻串联后连接于输入端与地之间,构成分压支路;所述第二MOS管的控制极连接于第一电阻与第二电阻之间的节点上,第二MOS管的源极接地,第二MOS管的漏极与第一MOS管的控制极连接;一第三电阻连接于第一MOS管的控制极与源极之间,MOS管的源极与输入端连接,MOS管的漏极与输出端连接。

5.如权利要求4所述的欠压保护电路,其特征在于,还包括第四电阻,所述第四电阻连接在第一MOS管的控制极与第二MOS管的漏极之间。

6.如权利要求5所述的欠压保护电路,其特征在于,还包括第五电阻所述第三电阻与所述第四电阻具有公共节点,所述第五电阻一端连接于MOS管的控制极,另一端连接到第三电阻与第四电阻之间的节点上,第三电阻与所述第四电阻通过所述第五电阻与MOS管的控制极连接。

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