[实用新型]感应加热直拉法生长单晶的称量装置及单晶炉有效
申请号: | 201822124776.0 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN209243244U | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 肖学峰;张学锋;韦海成;张欢 | 申请(专利权)人: | 北方民族大学 |
主分类号: | C30B15/28 | 分类号: | C30B15/28 |
代理公司: | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人: | 周晓梅;孙彦虎 |
地址: | 750021 宁夏回族*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 称量传感器 单晶 第二连接件 第一连接件 称量装置 感应加热 直拉法 称量 处理器 生长 处理器连接 并联设置 刚性材料 合成处理 平行位移 实时监测 信号发送 形变 单晶炉 输出端 输入端 并联 测量 | ||
一种感应加热直拉法生长单晶的称量装置,包括第一称量传感器、第二称量传感器、第一连接件、第二连接件、称量处理器,第一称量传感器、第二称量传感器结构相同,第一连接件、第二连接件均采用刚性材料,第一连接件、第二连接件相对平行位移,以使第一称量传感器、第二称量传感器同步形变,第一称量传感器、第二称量传感器的信号发送至称量处理器进行合成处理,并显示,本技术方案的有益效果在于,采用并联设置的两个称量传感器来实时监测单晶的重量,两个称量传感器的输出端和输入端分别并联后与称量处理器连接,使得感应加热直拉法生长单晶的称量装置的测量精度提高了一倍,而成本仅增加了一个低价称量传感器。
技术领域
本实用新型涉及直拉单晶设备技术领域,特别涉及一种感应加热直拉法生长单晶的称量装置及单晶炉。
背景技术
直拉法生长单晶,是熔体法生长单晶最为成熟和最常用的晶体生长方法之一,熔体直拉法生长单晶的过程中需要实时监测晶体的重量,保证晶体的正常生长,现有的称重传感器的精度低,不能满足要求,而高精度的称重传感器成本高。
发明内容
有鉴于此,针对上述不足,有必要提出一种低成本、高精度的感应加热直拉法生长单晶的称量装置。
还有必要提出一种低成本、高精度的感应加热直拉法生长单晶的单晶炉。
一种感应加热直拉法生长单晶的称量装置,包括第一称量传感器、第二称量传感器、第一连接件、第二连接件、称量处理器,第一称量传感器、第二称量传感器结构相同,第一连接件包括第一上连接端、第一左下连接端、第一右下连接端,第二连接件包括第二下连接端、第二左上连接端、第二右上连接端,第一上连接端与驱动机构连接,第一左下连接端与第一称量传感器的上端连接,第一右下连接端与第二称量传感器的上端连接,第二左上连接端与第一称量传感器的下端连接,第二右上连接端与第二称量传感器的下端连接,第二下连接端与晶种轴的上端连接,第一连接件、第二连接件均采用刚性材料,第一连接件、第二连接件相对平行位移,以使第一称量传感器、第二称量传感器同步形变,第一称量传感器包括第一输入端子、第一输出端子,第二称量传感器包括第二输入端子、第二输出端子,第一输出端子和第二输出端子并联后,均通过导线与称量处理器的输入端子连接,第一输入端子和第二输入并联后,端子均通过导线与称量处理器的输出端子连接,以将第一称量传感器、第二称量传感器的信号发送至称量处理器进行合成处理,并显示。
一种感应加热直拉法生长单晶的单晶炉,包括驱动机构、炉体、晶种轴、辅助加热装置以及感应加热直拉法生长单晶的称量装置,驱动机构安装于炉体的顶端,所述晶种轴、辅助加热装置、感应加热直拉法生长单晶的称量装置内置于炉体的腔室,所述感应加热直拉法生长单晶的称量装置的第一上连接端与驱动机构连接,所述感应加热直拉法生长单晶的称量装置的第二下连接端与晶种轴的上端连接,所述辅助加热装置包括发热体、保温体、第一支撑体、第二支撑体、坩埚、辅助加热丝,所述发热体由水冷铜线绕成螺旋状,所述发热体与交流电源连接,保温体为一筒状体,保温体的上端面开口,保温体内置于发热体中,所述第一支撑体、第二支撑体高度可调,所述第一支撑体包括多个第一垫环体,多个第一垫环体同轴叠放一起,以组成第一支撑体,所述第一支撑体的下端固定在炉体的腔室的底部,所述保温体置于第一支撑体的上端端面上,以通过第一支撑体调整保温体的高度,所述第二支撑体包括多个第二垫环体,多个第二垫环体同轴叠放一起,以组成第二支撑体,所述第二支撑体的下端放置于保温体内侧底壁上,所述坩埚置于第二支撑体的上端端面上,以通过第二支撑体调整坩埚的高度,所述坩埚能够收容熔体,坩埚由高导磁材料制成,以通过发热体产生的磁场使坩埚本身发热,辅助加热丝水平缠绕于保温体的外侧环壁上,辅助加热丝设置于保温体中部偏下的位置,辅助加热丝由高导磁材料制成,以通过发热体产生的磁场使辅助加热丝本身发热,进而加热与辅助加热丝相应位置的坩埚侧壁,晶种轴沿炉体的腔室上下方向延伸,晶种轴的上端相对的另一端为自由端。
优选的,晶种轴与坩埚体同轴设置。
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