[实用新型]一种高增益低噪声的差分放大器

权利要求书

1.一种高增益低噪声的差分放大器，其特征在于：包括运算放大电路，所述运算放大电路包括M0、M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、M14，所述M0、所述M1、所述M2、所述M7、所述M8、所述M9、所述M10、所述M13、所述M14设置为N型的MOS管、所述M3、所述M4、所述M5、所述M6、所述M11、所述M12设置为P型的MOS管，所述M1的源极连接所述M2的源极且与所述M0的漏极相连，所述M0，所述M1和所述M2的栅极分别连接差分射频输入信号In1和In2，所述M1的漏极连接在所述M3的源极和所述M5的漏极之间，所述M2的漏极连接在所述M4的源极和所述M6的漏极之间，所述M3的漏极连接所述M11的栅极，所述M4的漏极连接所述M12的栅极，所述M3的栅极和所述M4的栅极连接偏置电压Vb1，所述M5、所述M6的源极均连接偏置电压Vb4，所述M5、所述M6、所述M11、所述M12的源极均接地GND，所述M3的漏极连接所述M7的漏极，所述M4的漏极连接所述M8的漏极，所述M7、所述M8的栅极均连接偏置电压Vb2，所述M7的源极连接所述M9的漏极，所述M8的源极连接所述M10的漏极，所述M0、所述M9、所述M10、所述M13、所述M14的源极均连接电源VDD，所述M9的栅极连接所述M13的栅极，所述M10的栅极连接所述M14的栅极，且所述M9、所述M10、所述M13、所述M14的栅极均连接偏置电压Vb3，所述M5、所述M6的栅极连接偏置电压Vb4，所述M11的漏极连接所述M13的漏极，所述M12的漏极连接所述M14的漏极。

2.根据权利要求1所述的一种高增益低噪声的差分放大器，其特征在于：还包括共模反馈电路，所述共模反馈电路包括设置为N型MOS管的Mc6、Mc7、Mc8以及设置为P型MOS管的Mc9、Mc10，所述Mc6的源极连接电源VDD，所述Mc7和所述Mc8的源极均与所述Mc6的漏极连接，所述Mc7的漏极连接所述Mc9的漏极，所述Mc8的漏极连接所述Mc10的漏极，所述Mc9的栅极连接所述Mc10的栅极且连接所述Mc8的漏极，所述Mc9的源极和所述Mc10的源极接地GND，所述Mc6的栅极连接偏置电压Vb3，所述Mc8的栅极连接基准电压Vref，所述Mc7的栅极通过并联电容Ccm1、电阻Rrr1连接输出共模电压的Vop，所述Mc7的栅极通过并联电容Ccm2、电阻Rrr2连接输出共模电压的Von。

3.根据权利要求1所述的一种高增益低噪声的差分放大器，其特征在于：所述M3的漏极和所述M11的漏极之间并联接有电容Cc1和电阻Rcc1，所述M4的漏极和所述M12的漏极之间并联接有电容Cc2和电阻Rcc2，所述电阻Rcc1连接输出共模电压的Vop，且所述电阻Rcc1通过电容C1接地GND，所述电阻Rcc2连接输出共模电压的Von，且所述电阻Rcc2通过电容C2接地GND。

4.根据权利要求1所述的一种高增益低噪声的差分放大器，其特征在于：所述M1的栅极与所述M13的漏极之间连接有电容Ccc1，所述M2的栅极与所述M14的漏极之间连接有电容Ccc2。

5.根据权利要求1所述的一种高增益低噪声的差分放大器，其特征在于：还包括偏置电路和标准电流源电路，所述偏置电路用于减小尺寸以及温度偏差造成的工作点漂移，所述标准电流源电路为带隙基准源。