[实用新型]一种多电压域复位延迟电路

说明书

本实用新型公开了一种多电压域复位延迟电路，用以解决现有技术的复位延迟电路使用比较器占用较大面积，集成性低，不能控制复位时间以及不具备电压监控的问题，本电路包括偏置电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路以及复位信号产生电路；所述偏置电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路以及复位信号产生电路之间电连接。本复位延迟电路，能够实现多电压域复位，其利用NMOS管和PMOS管组合替代比较器，系统集成性高，并且复位时间可控，输出信号稳定以及具有电压监控特性，可以根据VCC变换输出对应的高或者低电平。

技术领域

本实用新型涉及IC集成技术领域，尤其涉及一种多电压域复位延迟电路。

背景技术

复位电路是IC集成电路中的一个模块，其作用是使电路从不稳定状态恢复为初始状态。当需求产生时，复位电路产生一个一定宽度的复位脉冲信号去复位整个电路，使电路恢复为初始状态，进而开始后续的工作。无论用户使用何种电路设计方式，总要涉及到复位电路的设计。而复位电路设计的好坏，直接影响到整个系统工作的可靠性。许多用户在完成了数字电路的设计，并在实验室调试成功后，在现场却出现了“死机”、“程序走飞”等现象，这主要是电路的复位电路设计不可靠引起的。

如图1所示，传统复位电路的设计思想是：将偏置电路产生的电压信号Vbn,Vbp作为比较器CMP的输入，由比较器的输出作为开关电路的栅极输入信号，由此来控制MOS管的通断，第一PMOS管M1的栅极和第二NMOS管M2连接于节点A，对并联电容C进行充放电。电容C一端接地，另一端与触发器的输入端连接。通过控制电容非接地端的电位就控制了触发器的输入电压。若比较器的输出为低电平，第一PMOS管M1开启，电容C经由M1支路充电，若充电过程中B点电位高于触发器ST的翻转电压，触发器发生翻转输出高电平；若比较器输入的为高电平，第一PMOS管M1关闭，第二NMOS管M2开启，电容C经由M2所在支路放电，若B点电位低于触发器ST的翻转电压时，触发器发生翻转，输出端Vout输出低电平。

上述现有技术中，有如下缺点：

比较器占用面积较大，成本高，不利于系统集成；

电路中没有器件限制电容的充电时间，如果PMOS管M1的开启时间较短，不足以使电容充电至Smith触发器发生翻转，上电复位信号不能保证正确输出，进而不能正确初始化内部电路；

电路启动阶段，Vbn与Vbp输出波动会导致比较器的输出不稳定，进而导致整个电路的输出不确定；

只能在单电压域工作。

发明内容

为了解决背景技术中提出的问题，本实用新型提供了一种在多个电压域电路中，能够确保所有电压域都正确启动的复位时间可控制的多电压域复位延迟电路。

为了达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案，一种多电压域复位延迟电路，包括：偏置电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路以及复位信号产生电路；

所述偏置电路包括：第一电流源、第一电流镜；

其中，第一电流源的一端接地，第一电流源的另一端接第一电流镜的输入端，第一电流镜的另一端接第一电源电压(VCC1)；

所述第一开关控制电路包括：第一MOS管(M1)、第一PMOS管(MP0)、第一NMOS管(MN0)以及第二电流镜；

其中，第一MOS管(M1)的漏极和第一电流镜的输出端、第一PMOS管(MP0)的栅极以及第一NMOS管(MN0)的栅极连接与结点(A)，第一MOS管(M1)的源极和第一NMOS管(MN0)的源极连接，第一NMOS管(MN0)的漏极和第一PMOS管(MP0)的漏极连接，第一PMOS管(MP0)的源极和第二电流镜的输入端连接，第二电流镜的另一端接第一电源电压(VCC1)；