[实用新型]一种应用于5G基带的动态模拟电源控制电路有效
申请号: | 201822130886.8 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN209570864U | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 马彦彬;胡爱萍 | 申请(专利权)人: | 上海秦芯信息科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201315 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压线性 电压源 本实用新型 基带 传统的 动态的 电源控制电路 动态模拟 电源 输出电压控制 动态调整 动态控制 控制电流 数字控制 电流源 应用 电路 | ||
1.一种应用于5G基带的动态模拟电源控制电路,用于实现高性能的电源模块,为系统提供电能,其特征在于:所述电源模块包括:数字控制的动态模拟电源、模数与数模转换电路、输入缓冲级、误差放大器以及输出级,其中:
所述数字控制的动态模拟电源101连接模数与数模转换电路102;所述模数与数模转换器中的模数转换器ADC的输入端连接误差放大器的输出端,ADC的输出端连接数模转换器DAC的输入端,DAC的输出端连接晶体管MPT2的栅极;所述输入缓冲级的运算放大器OP的正输入端连接参考电压VREF,负输入端连接放大器OP的输出端,并与电阻R1的上端连接,R1的下端连接R2的上端,并且连接误差放大器的正输入端,电阻R2的下端连接地;所述误差放大器的负输入端连接反馈电阻Rf1的下端和Rf2的上端,Rf2的下端连接地,误差放大器的输出端连接NMOS晶体管MPT1的栅端,MPT1的漏断连接电源电压VDDA,源端连接Rf1的上端,标记为Vout;所述输出级NMOS晶体管的漏端连接电源电压VDDA,源端连接电阻Rf3的上端Vout, Rf3的下端连接电阻Rf4的上端,Rf4的下端连接地,所述误差放大器和输入缓冲级的电源电压均为VDDA。
2.根据权利要求1所述的一种应用于5G基带的动态模拟电源控制电路,其特征在于:所述误差放大器和输入缓冲级中的运算放大器OP包括6个NMOS晶体管和6个PMOS晶体管,PMOS输入晶体管MPa2和MPa3的栅极分别连接INP和INN,运算放大器的输出标记为VOP。
3.根据权利要求1所述的一种应用于5G基带的动态模拟电源控制电路,其特征在于:所述动态模拟电源调控所述模数与数模转换电路。
4.根据权利要求1所述的一种应用于5G基带的动态模拟电源控制电路,其特征在于:所述输入缓冲级包括第一运放,所述第一运放正向输入端接参考信号,负向输入端与输出端相连;所述误差放大器包括第二运放,所述第二运放正向输入端通过电阻与所述第一运放相连,负向输入端与所述输出级相连;所述输出级包括第一晶体管与第二晶体管,所述第一晶体管与所述第二晶体管均为MOSFE晶体管;所述第一晶体管与所述第二晶体管漏极均与电源相连,源极相连作为输出端输出;所述第一晶体管栅极与所述模数转换电路输入端及第二运放的输出端相连,所述第二晶体管栅极与所述数模转换电路输出相连。
5.根据权利要求1所述的一种应用于5G基带的动态模拟电源控制电路,其特征在于:所述模数转换电路的输出与所述数模转化电路的输入相连。
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