[实用新型]一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构有效
| 申请号： | 201822133784.1 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN209326371U | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 刘孝平;刘瑞生;田茂标;徐勇;刘丽;赵显萍;任文彬;杨海蓉;游炯;黎菊英 | 申请（专利权）人： | 成都万士达瓷业有限公司 |
| 主分类号： | F27D7/02 | 分类号： | F27D7/02 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹;郑发志 |
| 地址： | 611332 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 前进气管 安装装置 进气结构 气管 安装层 半导体热电 气管出气口 烧结 出气口 氮气炉 炉管 本实用新型 | ||
1.一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构，其特征在于包括：前进气管（1）、后进气管（2）、前进气管安装装置（3）、前进气管出气口（4）、后进气管安装装置（5）、后进气管出气口（6）和进气结构安装层（7），所述进气结构安装层（7）上设置有多个前进气管安装装置（3）和后进气管安装装置（5），所述前进气管（1）通过前进气管安装装置（3）设置在进气结构安装层（7）上，所述后进气管（2）通过后进气安装装置5设置在进气结构安装层（7）上，所述前进气管（1）上设置有多个前进气管出气口（4），所述后进气管（2）设置有多个后进气管出气口（6）。
2.根据权利要求1所述一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构，其特征在于：所述前进气管（1）和后进气管（2）为耐高温隔热管道。
3.根据权利要求1所述一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构，其特征在于：所述进气结构安装层（7）设置在高温炉的顶部。
4.根据权利要求1所述一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构，其特征在于：所述进气结构安装层（7）上至少设置有3个前进气管安装装置（3）和后进气管安装装置（5）。
5.根据权利要求1所述一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构，其特征在于：所述前进气管安装装置（3）和后进气管安装装置（5）为耐高温卡扣。
6.根据权利要求1所述一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构，其特征在于：所述前进气管（1）上至少设置有3个前进气管出气口（4）。
7.根据权利要求1所述一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构，其特征在于：所述后进气管（2）上至少设置有3个后进气管出气口（6）。
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