[实用新型]一种用于DBC半导体基板氮气炉冷却水的循环水池

说明书

本实用新型公开了一种用于DBC半导体基板氮气炉冷却水的循环水池，其特征在于包括：水池主体、补水管、补水口、出水口、出水管、氮气炉冷却区、进水管和进水溢流口，所述水池主体上设置有多根补水管，所述补水管上设置有补水口，所述水池主体的一侧设置有出水口，所述出水口与出水管连通，所述出水管与氮气炉冷却区相连通，所述进水管设置在氮气炉冷却区的一侧与水池主体的另一侧连通。

技术领域

本实用新型属于DBC半导体热电基片生产技术领域，具体涉及一种用于DBC半导体热电基片氮气炉冷却水的循环水池。

背景技术

随着功率电子器件的发展，电路板集成度与工作频率不断提高，散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基片是大功率电子器件、集成电路基片的封装材料，是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料，其性能决定着模块的散热效率和可靠性。

DBC半导体热电基片是用DBC技术将铜片直接烧结到Al₂O₃或AlN陶瓷表面制成的一种复合覆铜陶瓷板，具有高导热性、高的电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点。Al₂O₃陶瓷片制作过程时，需要将陶瓷片基体冲压成单个陶瓷片坯片，并且将陶瓷片坯片两面的杂质去除掉，然后将陶瓷片坯体放置于推板炉中烧制，在氮气炉工作的时候，氮气炉会产生大量的热量，而氮气炉内的温度又处于很敏感的状态，因此必须使用冷却装置一直去降温，但是现有技术中冷却装置耗水量非常大，不能达到节能环保的目的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于DBC半导体热电基片氮气炉冷却水的循环水池。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种用于DBC半导体热电基片氮气炉冷却水的循环水池，其特征在于包括：水池主体、补水管、补水口、出水口、出水管、氮气炉冷却区、进水管和进水溢流口，所述水池主体上设置有多根补水管，所述补水管上设置有补水口，所述水池主体的一侧设置有出水口，所述出水口与出水管连通，所述出水管与氮气炉冷却区相连通，所述进水管设置在氮气炉冷却区的一侧与水池主体的另一侧连通。

所述进水管与出水口存在落差，进水管高于出水口的高度为3-5米。

所述补水管与自来水连通。

所述补水口上设置有感应阀门，当感应阀门感应到水池内水位过低则进行补水。

所述出水管上设置有抽水机。

所述出水口上设置有出水阀门。

所述出水管为防腐蚀管。

所述进水管为耐高温管道。

本技术方案的有益效果如下：

1.本实用新型涉及到的冷却炉中，冷却水采用循环使用，节约了冷却水的使用量，达到了节能环保的目的。

2.本实用新型由于采用了冷却水循环池，减少了冷却水的用量，减少了生产成本。

附图说明

本实用新型的前述和下文具体描述在结合以下附图阅读时变得更清楚，附图中：

图1是本实用新型的结构示意图；

图中：

1、水池主体，2、补水管，3、补水口，4、出水口，5、出水管，6、氮气炉冷却区，7、进水管，8、进水溢流口。

具体实施方式

下面通过几个具体的实施例来进一步说明实现本实用新型目的技术方案，需要说明的是，本实用新型要求保护的技术方案包括但不限于以下实施例。