[实用新型]化学气相沉积用隔离室

说明书

本实用新型公开了一种化学气相沉积用隔离室，设置在第一沉积室和第二沉积室之间，其包括中空结构的隔离腔体及辊轴组件，中空结构形成抽气腔述隔离腔体延伸出与第一、二沉积室密封对接的第一、二通道，第一通道与第二通道正对设置，第一通道、抽气腔及第二通道依次连通，隔离腔体上贯穿开设有用于与外界抽气装置连通的抽气口，辊轴组件设置于抽气腔内，辊轴组件包括呈上下相切设置的从动辊轴和主动辊轴，主动辊轴和从动辊轴外均具有呈柔性结构的硅胶层；本实用新型借由第一通道、隔离腔体、第二通道及辊轴组件有效的将第一沉积室和第二沉积室隔离开，并有效的阻挡了第一沉积室和第二沉积室之间气体相互渗透和扩散。

技术领域

本实用新型涉及一种化学气相沉积用装置，尤其涉及一种可隔离气体扩散的化学气相沉积用隔离室。

背景技术

半导体加工过程中，需要进行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)，是利用加热等离子体激励或光辐射等方法，使气态或蒸汽状态的化学物质发生反应并以原子态沉积在置于适当位置的基板上，从而形成所需要的固态薄膜或涂层的沉积层的过程。

化学气相沉积是一种非常灵活、应用极为广泛的工艺方法，可以用来制备各种涂层、粉末、纤维和成型元器件。特别在半导体材料的生产方面，化学气相沉积的外延生长显示出与其他外延方法(如分子束外延、液相外延)无与伦比的优越性，即使在化学性质完全不同的衬底上，利用化学气相沉积也能产生出晶格常数与衬底匹配良好的外延薄膜。此外，利用化学气相沉积还可生产耐磨、耐蚀、抗氧化、抗冲蚀等功能涂层。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。

高密度等离子体化学气相沉积设备，是在腔体内的高温环境下，通过特定的工艺气体在等离子体增强条件下，在基板的表面进行化学气相沉积进而形成薄膜的设备。化学气相沉积设备对基板进行化学气相沉积的场所在沉积室，气体在沉积室中发生电离进而沉积在基板上形成沉积层，现有的基板在各沉积室之间传输时往往之间是暴露在外进行的，或者各沉积室之间相互紧邻设置；

上述暴露在外进行传输或者沉积室紧邻设置的方案，都会造成不同的沉积室中气体相互渗透扩散，从而造成不良的化学反应，使得沉积效果变差，如遇不同沉积室之间气体化学反应较为剧烈的，将严重影响沉积的效果，甚至产品因此而报废。

因此，亟需一种能将不同沉积室隔离开并有效阻挡不同沉积室中气体相互渗透扩散的隔离室。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种能将不同沉积室隔离开并有效阻挡不同沉积室中气体相互渗透扩散的隔离室。

为了实现上有目的，本实用新型提供了一种化学气相沉积用隔离室，适用于设置在第一沉积室和第二沉积室之间，其包括呈中空结构的隔离腔体及辊轴组件，所述中空结构形成抽气腔，所述隔离腔体一侧延伸出与所述第一沉积室密封对接的第一通道，所述隔离腔体的另一侧延伸出与所述第二沉积室密封对接的第二通道，所述第一通道与所述第二通道正对设置，所述第一通道、抽气腔及第二通道依次连通，所述隔离腔体上贯穿开设有用于与外界抽气装置连通的抽气口，所述辊轴组件设置于所述抽气腔内，所述辊轴组件包括呈上下相切设置的从动辊轴和主动辊轴，所述主动辊轴连接一驱动其转动的辊轴驱动机构，所述主动辊轴和所述从动辊轴外均具有呈柔性结构的硅胶层，所述主动辊轴与所述从动辊轴相切处正对所述第一通道和所述第二通道。

较佳地，本实用新型的化学气相沉积用隔离室的主动辊轴和所述从动辊轴的硅胶层的侧壁与所述隔离腔体的内侧壁相接触，所述从动辊轴的硅胶层的顶壁与所述隔离腔体的内顶壁之间具有间隙。

较佳地，本实用新型的化学气相沉积用隔离室的抽气口设置于所述隔离腔体的顶部。