[实用新型]等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置

说明书

本实用新型公开了一种等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置，其包括气盒机构及电极机构，气盒机构包括呈中空结构的气盒体，中空结构被第一隔板分隔形成各自相互独立的气腔单元，气盒体的顶面贯穿开设有与气腔单元连通的进气口，每一气腔单元所对应的气盒体的底面上均设置有导电结构的第二隔板，相邻两第二隔板之间的气盒体的贯穿开设有与气腔单元连通的出气口，相邻两第二隔板之间形成电离腔单元，依次连通的进气口、气腔单元、出气口及电离腔单元形成一沉积通道，电极机构的电极条对应悬置于电离腔单元中；由上可知，本实用新型借由所提供的多条沉积通道可同时进行不同气体的电离，进而实现对基板同时进行多层沉积的目的。

技术领域

本实用新型涉及一种等离子体增强化学气相沉积用装置，尤其涉及一种可同时对多种不同气体进行电离的等离子体增强化学气相沉积用电极装置。

背景技术

随着经济建设的快速发展，微电子技术得到了迅猛的发展，等离子体增强化学气相沉积(英文全称：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)设备的开发和使用也日益广泛。PECVD设备是利用高频电源辉光放电，产生等离子体化学沉积的设备，由于等离子体的存在，从而降低沉积温度。目前，PECVD设备广泛的用于液晶显示行业、太阳能电池行业、半导体器件及大规模集成电路的制造行业等。

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通常被用来在基板(例如用于平面面板显示器的透明基板或半导体晶片)上沉积材料层。PECVD通常是通过导引前驱物气体或气体混合物进入含有基板的真空腔室来完成，通过施加射频给前驱物气体或者气体混合物使其被能量化(例如激发)成等离子体，这些等离子体可以相互反应或者与基底表面物质反应以便沉积成材料层。

目前现有的电离装置通常只能同时对一种气体进行电离，在需要在基板上依次沉积多层沉积层时，需要将沉积好的一层的基板移动到另一电离装置中进行另一材质的沉积，或者是等待基板完全沉积好一层后再通以另一气体进行另一材质的沉积，无论采用何种沉积方式和手段，都是先完全沉积好一层后再沉积另一层，对于需要在基板上沉积多层沉积层的需求时，需要反复的进行重复性的操作，沉积效率低且操作繁琐。

因此，亟需一种可同时进行多层沉积的等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种可同时进行多层沉积的等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置。

为了实现上有目的，本实用新型提供了一种等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置，其包括气盒机构及电极机构，所述气盒机构包括呈中空结构的气盒体，所述中空结构形成气腔，所述气盒体呈矩形结构，所述气腔中呈平行的等间距设置有第一隔板，所述第一隔板将所述气腔分隔形成各自相互独立的气腔单元，所述气腔单元所对应的气盒体的顶面贯穿开设有与所述气腔单元连通的进气口，每一所述气腔单元所对应的气盒体的底面上均呈平行的等间距设置有导电结构的第二隔板，相邻两所述第二隔板之间的气盒体的底面贯穿开设有与所述气腔单元连通的呈条状的出气口，相邻两所述第二隔板之间形成电离腔单元，所述气腔单元与所述电离腔单元呈一一正对设置，依次连通的所述进气口、所述气腔单元、所述出气口及所述电离腔单元形成一沉积通道，所述电极机构包括承载体，所述承载体上呈平行且等间距的延伸出与所述电离腔单元对应的电极条，所述电极条对应悬置于所述电离腔单元中。

较佳地，本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置中的进气口呈均匀的分布于所述气盒体的顶面上。

较佳地，本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置中悬置于所述电离腔单元中的所述电极条位于所述出气口的正下方。

较佳地，本实用新型的等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置中的气盒机构还包括安装板，所述安装板呈相对的固定于所述气盒体的相对两侧上，且位于最外侧的两所述第二隔板与两所述安装板围成一矩形结构，所述电极条可拆卸的水平插设于所述安装板上。