[实用新型]适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池

说明书

本实用新型公开一种适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池，电池包括N型硅基片，N型硅基片正面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有N型非晶硅膜层，N型硅基片反面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有P型非晶硅膜层；电池片正面设有正面金属电极，背面设有背面金属电极和孔洞金属电极，距离每个所述孔洞金属电极点外周刻蚀有连续闭合的绝缘划线，绝缘划线穿透电池片背面的TCO透明导电膜和P型非晶硅膜层。把P型非晶硅薄膜发射极放置到电池片背面，这样孔洞金属电极和侧壁的N型基区不存在漏电问题，在背面孔洞金属电极点周边用激光刻蚀绝缘划线的方式隔离P型非晶硅薄膜和上面的TCO透明导电膜，又阻止了和背面正电极区域的短路。

技术领域

本实用新型涉及一种适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池，应用于太阳电池的生产制造。

背景技术

异质结硅电池是一种高效的光伏电池，基本结构如图1所示，一般采用高少子寿命的N型硅片，结合超薄的隧穿钝化层和P型非晶硅薄膜发射极得到异质的PN结结构，整个工序工艺温度较低(～200℃)，可使用超薄硅片，量产效率可达到23％以上，缺点是正面银浆耗高，既增加了遮光损失又增加了银成本。而MWT(金属穿透缠绕)技术是一种背接触式太阳电池技术，其通过孔洞金属电极传输的方式将常规电池正面电极移到背面，有效降低了银栅线遮挡而引起的功率损失，提高了入射太阳光的利用率和电池的光电转化效率。所以如果把MWT技术和异质结电池结合起来可以有效降低昂贵的银电极成本同时减少了遮光损失，进一步提升电池转化效率。但有个关键问题是，MWT技术要进行激光开孔，对于常规异质结电池，开孔后孔洞截面结构复杂，同时存在P型(正极)和N型(负极)区域，直接的孔洞金属化一定会导致正负电极短路，故需要设计开发一种避免正负极短路，并且简单适合和低成本化的MWT异质结电池结构和工艺，使其适用于规模化生产的需要。

实用新型内容

实用新型目的：针对现有技术存在的问题与不足，本实用新型提供一种增加设备少、工艺简单的MWT异质结硅太阳电池，适合低成本、大产能的规模化生产的需求。

技术方案：一种适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池，包括N型硅基片，所述N型硅基片正反两面均设有一层本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层；所述N型硅基片正面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有N型非晶硅膜层，N型非晶硅膜层上设有TCO透明导电膜；所述N型硅基片反面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有P型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层上设有TCO透明导电膜；所述TCO透明导电膜，N型非晶硅膜层，本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层，N型硅基片，本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层，P型非晶硅膜层，以及TCO透明导电膜，从正面向反面方向依次层叠构成MWT异质结硅太阳电池片；所述MWT异质结硅太阳电池片正面设有正面金属电极，背面设有背面金属电极和孔洞金属电极；MWT异质结硅太阳电池片上打有与正面金属电极数量和位置一一对应的孔洞，孔洞两端分别对应正面金属电极和孔洞金属电极，正面金属电极和孔洞金属电极连通；距离每个所述孔洞金属电极点外周0.1～1mm处刻蚀有连续闭合的绝缘划线，绝缘划线穿透电池片背面的TCO透明导电膜和P型非晶硅膜层。

在背面孔洞金属电极周边用激光刻蚀绝缘划线的方式使该孔洞金属电极区域和P型非晶硅薄膜及上面的透明导电膜(TCO)电学隔离，阻止了和背面正电极区域的短路，从而实现这种MWT异质结硅太阳电池的生产制造。

所述孔洞的横截面为圆形或者椭圆形，直径尺寸为0.05～1mm。

所述本征非晶硅钝化层的厚度为5～50nm，氧化硅钝化层的厚度为1～50nm。

所述P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层的厚度均为5～50nm。