[实用新型]一种MWT异质结硅太阳电池

说明书

本实用新型公开一种MWT异质结硅太阳电池，MWT异质结硅太阳电池片上打有贯穿TCO透明导电膜，P型非晶硅膜层，本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层，N型硅基片，本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层，N型非晶硅膜层，以及TCO透明导电膜的孔洞，孔洞两端分别对应正面金属电极和孔洞金属电极，正面金属电极和孔洞金属电极连通；制备方法在常规异质结电池工艺基础上，增加一道激光打孔和绝缘层覆盖保护两道工序即可实现这种MWT异质结硅太阳电池的生产制造。

技术领域

本实用新型涉及一种适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池，应用于太阳电池的生产制造。

背景技术

MWT(金属穿透缠绕)技术是一种背接触式太阳电池技术，其通过孔洞金属电极传输的方式将常规电池正面电极移到背面，有效降低了银栅线遮挡而引起的功率损失，提高了入射太阳光的利用率和电池的光电转化效率，基本结构如图1所示。其工艺步骤典型如下：激光打孔、清洗制绒、双面扩散制备pn结、去磷硅玻璃、制备减反射膜、丝网印刷电极、烘干烧结、测试分选。但这种结构和工艺方式只适用于常规P型硅电池，对于N型异质结电池，孔洞截面结构复杂，同时存在P型(正极)和N型(负极)区域，直接的孔洞金属化一定会导致正负电极短路，故需要设计开发一种避免正负极短路，并且简单适合和低成本化的MWT异质结电池结构和工艺，使其适用于规模化生产需要。

实用新型内容

实用新型目的：针对现有技术中存在的问题与不足，本实用新型提供一种增加设备少、工艺简单的MWT异质结硅太阳电池，合低成本、大产能的规模化生产的需求。

技术方案：一种MWT异质结硅太阳电池，包括N型硅基片，N型硅基片正反两面均设有一层本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层；所述N型硅基片正面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有P型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层上设有TCO透明导电膜；所述N型硅基片反面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有N型非晶硅膜层，N型非晶硅膜层上设有TCO透明导电膜；所述MWT异质结硅太阳电池片正面设有正面金属电极，背面设有背面金属电极；

MWT异质结硅太阳电池片上打有贯穿TCO透明导电膜，P型非晶硅膜层，本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层，N型硅基片，本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层，N型非晶硅膜层，以及TCO透明导电膜的孔洞，孔洞两端分别对应正面金属电极和孔洞金属电极，正面金属电极和孔洞金属电极连通；

从MWT异质结硅太阳电池片背面的孔洞边缘到孔洞内壁上印刷有绝缘浆料形成的平滑的绝缘膜层，所述孔洞边缘印刷的绝缘膜层外径大于孔洞金属电极点的外径，用于防止孔洞与背面的TCO透明导电膜形成连续通道。

所述绝缘膜层的厚度为1～100um，并且平滑致密，用于防止孔洞与背面的TCO透明导电膜形成连续通道，起到孔洞金属电极和TCO透明导电膜、孔洞内部结构绝缘隔离的作用。

所述孔洞的横截面为圆形、方形或者三角形，直径尺寸为0.05～1mm。

所述本征非晶硅钝化层的厚度为5～50nm，氧化硅钝化层的厚度为1～50nm。

所述P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层的厚度均为5～50nm。

一种MWT异质结硅太阳电池的制备方法，在常规异质结电池工艺基础上，增加一道激光打孔和绝缘层覆盖保护两道工序即可实现这种MWT异质结硅太阳电池的生产制造。具体包括如下步骤：

(1)使用激光器在N型硅基片上打若干个与正面金属电极数量和位置一致的孔洞；

(2)对打孔后的N型硅基片进行前清洗与制绒，去除硅片表面和孔洞内的损伤层，降低光生载流子的复合速率，同时在N型硅基片表面制成绒面降低反射率；