[实用新型]一种光集成器件结构有效
| 申请号： | 201822151137.3 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN210325799U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 薛磊;岳庆冬 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种光集成器件结构，其特征在于，包括：
衬底(001)；
第一沟槽(0021)，设置在所述衬底(001)上；
光器件(100)，设置在所述第一沟槽(0021)之间；
CMOS器件(200)，设置在所述第一沟槽(0021)一侧；
应力氮化硅膜，设置在所述CMOS器件(200)上。
2.如权利要求1所述的光集成器件结构，其特征在于，所述光器件(100)，包括：依次横向分布的LED(10)、波导(20)和探测器(30)，其中，所述LED(10)、所述波导(20)和所述探测器(30)通过第三沟槽(014)隔离，所述波导(20)设置在所述第三沟槽(014)的中间，所述LED(10)和所述探测器(30)设置在所述第三沟槽(014)的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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