[实用新型]一种光致衰减装置有效
申请号: | 201822152628.X | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN209045593U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 姚铮;张达奇;熊光涌;吴坚;蒋方丹;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑平台 支撑框架 光致衰减 加热单元 冷却单元 惰性气体发生装置 本实用新型 电池片 光源 硅太阳能电池 太阳能电池片 真空吸附结构 辐照 惰性气体 光源设置 时间衰减 实验数据 衰减条件 衰减 种晶 加热 释放 制造 | ||
本实用新型涉及太阳能电池片制造技术领域,公开了一种晶硅太阳能电池的光致衰减装置,包括支撑框架、支撑平台、光源、惰性气体发生装置、加热单元及冷却单元,其中,支撑平台设置于支撑框架内,且支撑平台具有真空吸附结构;光源设置于支撑框架内并位于支撑平台的上方,且光源的辐照强度能够调节;惰性气体发生装置设置于支撑框架内,用于向支撑平台释放惰性气体;加热单元及冷却单元设置于支撑平台内,所述加热单元能够将所述支撑平台加热,所述冷却单元能够将所述支撑平台降温。本实用新型的光致衰减装置能够实现不同的衰减条件,杜绝电池片的氧化,可实现电池片的长时间衰减行为,确保衰减实验数据的可靠。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片制造技术领域,尤其涉及一种晶硅太阳能电池的光致衰减装置。
背景技术
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能、利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结上,形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。现有的晶硅电池采用了背面钝化技术(PERC),通过降低背表面复合,大幅提升开路电压和短路电流。但由此带来的光致衰减问题极大限制了其规模化量产应用。
随着晶硅衰减研究的深入,晶硅电池片的主要衰减机理从最初的BO复合模型到现今的众多猜想,从最初的光致衰减(LID:light induced degradation)到现在的热辅助光致衰减(LeTID:light and elevated temperature induced degradation),莫衷一是。晶硅材料与生俱来的结构缺陷(晶界和位错缺陷)、金属杂质(如:Fe、Cu、Ti、Mo、W等部分深能级金属杂质);电池制程中的热过程影响;以及UNSW最新公布的可解释多数衰减现象的四态转化模型。对表象行为的研究是探究根本机理的前提,影响衰减因素主要是额外载流子注入量、温度以及时间。于是搭建设备实现不同衰减条件,并能进行单一变量调控开展实验就显得尤为重要。
目前光致衰减设备主要利用光源配合简易的支架平台,平台无法加热,且没有惰性气体保护装置,仅利用玻璃覆盖硅片,防止硅片氧化。这种光致衰减设备存在的缺点或不足是:衰减温度由光照辐射获得,无法实现精确控温;玻璃覆盖硅片会阻碍短波段的透过,对辐照产生影响;玻璃覆盖硅片,硅片始终机械受力,存在机械受损的隐患。
有鉴于上述的缺陷,本设计人,积极加以研究创新,以期创设一种新型结构的晶硅太阳能电池的光致衰减装置,使其更具有产业上的利用价值。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种晶硅太阳能电池的光致衰减装置,能够实现不同的衰减条件,杜绝电池片的氧化,可实现电池片的长时间衰减行为,确保衰减实验数据的可靠。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种光致衰减装置,包括支撑框架、支撑平台、光源、惰性气体发生装置、加热单元及冷却单元,其中:
所述支撑平台设置于所述支撑框架内,且所述支撑平台具有真空吸附结构;
所述光源设置于所述支撑框架内并位于所述支撑平台的上方,且所述光源的辐照强度能够调节;
所述惰性气体发生装置设置于所述支撑框架内,用于向所述支撑平台释放惰性气体;
所述加热单元及所述冷却单元设置于所述支撑平台内,所述加热单元能够将所述支撑平台加热,所述冷却单元能够将所述支撑平台降温。
作为上述光致衰减装置的一种优选方案,所述真空吸附结构包括多个设置于所述支撑平台上的吸附孔,所述吸附孔连接有真空管路,所述真空管路通过第一气阀连接真空泵。
作为上述光致衰减装置的一种优选方案,所述光源连接有整流设备。
作为上述光致衰减装置的一种优选方案,所述光源为卤素灯、氙灯、LED灯或者是模拟的AM1.5光源。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822152628.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的