[实用新型]基于双开关管PFC及一字型逆变器的变频调光器有效
申请号: | 201822159708.8 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN209845398U | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 胡欲凯 | 申请(专利权)人: | 成都英格瑞德电气有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02;H02M7/537;H02M1/42 |
代理公司: | 11340 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨春 |
地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双开关 一字型 本实用新型 变频调光 电容 逆变器 功率因数校正电路 电感 逆变器电路 升压变压器 正弦波输出 电网 电流谐波 功率因数 回路隔离 滤波电路 输出电压 输出频率 输出容量 输出纹波 输入电流 谐波污染 依次连接 能力强 减小 逆变 续流 变压器 电源 | ||
本实用新型公开了基于双开关管PFC及一字型逆变器的变频调光器,包括包括依次连接的第一电感、双开关管功率因数校正电路、中间电容、一字型逆变器电路、滤波电路。本实用新型基于双开关管PFC及一字型逆变器的变频调光器能够提高输入电流的功率因数接近1;降低电源对电网的谐波污染;中间电容上的能量经过逆变能够得到标准的正弦波输出,不受输入电网的影响,提高输出频率,使得所需升压变压器和回路隔离变压器的体积和重量将大大减小;输出容量大、输出电压高、电流谐波小的优点,中点续流能力强,改善输出纹波,降低损耗。
技术领域
本实用新型涉及变频调光器,尤其涉及基于双开关管PFC及一字型逆变器的变频调光器。
背景技术
机场现在使用的调光器电路结构有大致两种:可控硅相控调光器与IGBT高频PWM正弦波调光器。
可控硅相控调光器通过可控硅半导体对工频电压进行相控斩波来调整输出,输入电流功率因数低,谐波大,无功电流需要增大一倍电缆截面积,在输入需要增加一个功率补偿装置才能减小调光器对电网的干扰和影响;输出电压电流波峰系数大,谐波含量高,不仅会直接影响助航灯具的寿命,而且升压变压器噪音非常大(超过80dB)。而且频率和电网相同,只有50Hz,这样以来升压变压器和隔离变压器的体积和重量都非常大,比如一个30k的升压变压器重量超过200kg,不仅费铁费铜,占用机房面积大,而且搬运安装都很困难。
高频PWM调光器通过高频斩波,在一个工频周期里多次斩波变换,经过高频滤波输入输出都可以得到一个近似正弦波的电流波形,相对于相控调光器有了一定的改进,但受输入电网影响较大,当电网的谐波含量较高时,其输出的波形也会含有大量的谐波,不是标准的正弦波;而且其输出频率只能是电网频率,也只有50Hz,同样不能避免超大重量和体积的升压变压器。
两种调光器都是AC/AC单级变换电路,不能实现变频功能。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供基于双开关管PFC及一字型逆变器的变频调光器。
本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:基于双开关管PFC及一字型逆变器的变频调光器,包括第一电感、双开关管功率因数校正电路、中间电容、一字型逆变器电路、滤波电路。
所述中间电容包括第一极性电容、第二极性电容;所述第一极性电容与第二极性电容串联。
所述双开关管功率因数校正电路包括第一开关管、第二开关管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管。
所述第一电感第一端与变频调光器输入端相连;所述第一电感第二端接第一二极管正极、第二二极管负极;所述第一二极管负极接第三二极管正极、第一开关管第一端;所述第三二极管负极接第一极性电容正极;所述第一开关管第二端接第一极性电容负极、第二极性电容正极、第二开关管第一端;所述第二开关管第二端接第二二极管正极、第四二极管负极;所述第四二极管正极接第二极性电容负极。
所述一字型逆变器电路包括第五二极管、第六二极管以及依次串联的第三开关管、第四开开关管、第五开关管和第六开关管;所述第三开关管第一端接第一极性电容正极;所述第三开关管第二端接第五二极管负极、第四开关管第一端;所述第四开关管第二端接所述一字型逆变器电路正输出端、第五开关管第一端;所述第五开关管第二端接第六开关管第一端、第六二极管正极;所述第六二极管负极、第五二极管正极接第一极性电容负极、一字型逆变器电路负输出端。
所述滤波电路包括第二电感、滤波电容;所述一字型逆变器电路正输出端通过第二电感接滤波电容第一端、变频调光器正输出端;所述滤波电容第二端接一字型逆变器电路负输出端、变频调光器负输出端。
进一步的,所述第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开开关管、第五开关管和第六开关管均为反向并联二极管的MOS管或反向并联二极管的IGBT管或快恢复二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都英格瑞德电气有限公司,未经成都英格瑞德电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822159708.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。