[实用新型]一种半导体芯片加工分切装置有效
申请号: | 201822162591.9 | 申请日: | 2018-12-23 |
公开(公告)号: | CN209087783U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 尼博爱 | 申请(专利权)人: | 三致锐新(杭州)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 311100 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片 水箱 分切装置 冷却水 水泵 冷却 放置槽 分切机 切割板 加工 切割 本实用新型 分切机本体 活动连接有 基板本体 净化 不良率 水中 清洗 体内 遗留 贯穿 延伸 | ||
本实用新型公开了一种半导体芯片加工分切装置,包括分切机本体,所述分切机本体内壁的顶部固定连接有水箱,所述水箱的顶部固定连接有切割板,所述切割板的顶部开设有放置槽,所述放置槽的内部活动连接有基板本体,所述水箱的右侧固定连接有水泵,所述水泵的左侧贯穿水箱并延伸至水箱的内部。该半导体芯片加工分切装置,解决了现有的分切机无法将冷却后的冷却水进行净化,从而导致冷却水中含有大量来自水泵或切割遗留下来的难以清洗的半导体芯片粉末,在冷却时会与冷却水混合,使半导体芯片的切割精确度降低,导致产品的不良率提高的问题,该半导体芯片加工分切装置,具备可对冷却水进行净化等优点。
技术领域
本实用新型涉及半导体芯片加工技术领域,具体为一种半导体芯片加工分切装置。
背景技术
半导体芯片是在半导体片材上进行浸蚀,布线,制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片,常见的还包括砷化镓,锗等半导体材料,目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见的方法称为柴可拉斯基法,这种工艺将一个单晶的晶种放入溶解的同材质液体中,再以旋转的方式缓缓向上拉起,在晶种被拉起时,溶质将会沿着固体和液体的接口固化,而旋转则可让溶质的温度均匀。
在半导体芯片的加工过程中,需要对模压结束后的半导体芯片进行分切,但是现有的分切机无法将冷却后的冷却水进行净化,从而导致冷却水中含有大量来自水泵或切割遗留下来的难以清洗的半导体芯片粉末,在冷却时会与冷却水混合,使半导体芯片的切割精确度降低,导致产品的不良率提高。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种半导体芯片加工分切装置,具备可对冷却水进行净化等优点,解决了现有的分切机无法将冷却后的冷却水进行净化,从而导致冷却水中含有大量来自水泵或切割遗留下来的难以清洗的半导体芯片粉末,在冷却时会与冷却水混合,使半导体芯片的切割精确度降低,导致产品的不良率提高的问题。
(二)技术方案
为实现上述的目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体芯片加工分切装置,包括分切机本体,所述分切机本体内壁的顶部固定连接有水箱,所述水箱的顶部固定连接有切割板,所述切割板的顶部开设有放置槽,所述放置槽的内部活动连接有基板本体,所述水箱的右侧固定连接有水泵,所述水泵的左侧贯穿水箱并延伸至水箱的内部,所述水泵的输出端依次贯穿水箱与切割板并延伸至切割板的顶部,所述水泵的输出端连通有波纹管,所述波纹管远离水泵的一端连通有雾化喷头,所述切割板与水箱的顶部均开设有与放置槽连通的通孔,所述水箱内部的左侧与右侧均固定连接有支撑板,所述支撑板的顶部活动连接有推板,所述推板的底部固定连接有连接板,所述水箱的正面活动连接有固定管,所述固定管的表面固定连接有转轮,所述固定管的背面贯穿至水箱的内部并固定连接有凸轮,所述固定管与水箱通过轴承活动连接,所述支撑板的顶部活动连接有位于推板正面的滤箱,所述水箱的正面开设有开口,所述转轮的正面活动连接有拉杆,所述拉杆的后端依次贯穿固定管与凸轮并与连接板的正面固定连接。
优选的,所述推板底部的左侧与右侧均固定连接有滑块,所述支撑板的顶部开设有滑槽,所述滑块与滑槽滑动连接。
优选的,所述滤箱顶部的左侧与右侧均固定连接有套板,所述水箱顶部的左侧与右侧均固定连接有滑杆,所述滑杆与套板滑动连接。
优选的,所述水箱内壁背面的左侧与右侧均固定连接有拉簧,所述拉簧的前端与推板的背面固定连接。
优选的,所述分切机本体的正面活动连接有防护窗,所述防护窗的正面固定连接有防雾玻璃。
优选的,所述分切机本体与切割板的正面均固定连接有导轨,所述防护窗的顶部与底部均延伸至导轨的内部,所述防护窗与导轨滑动连接。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提供了一种半导体芯片加工分切装置,具备以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造