[实用新型]用于电注入设备的冷却装置有效
| 申请号： | 201822163127.1 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN209119057U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张达奇;姚铮;熊光涌;吴坚;蒋方丹 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨金 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 冷却装置 电池片叠层 电注入 冷却腔 工艺腔 冷却 本实用新型 加热处理 通电加热 温度保持 影响工艺 进风孔 冷却风 排风孔 排出 腔门 热风 外接 容纳 | ||
1.一种用于电注入设备的冷却装置，所述电注入设备包括对电池片叠层进行通电加热处理的工艺腔，所述冷却装置对加热处理后的电池片叠层进行冷却，其特征在于，
所述冷却装置定义了用于容纳所述电池片叠层的冷却腔，所述冷却装置包括用于打开或关闭所述冷却腔的腔门、与所述冷却腔相连通并外接冷却风的进风孔、及用于排出热风的排风孔。
2.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述冷却装置包括底壁、与所述底壁相对设置的顶壁、连接所述底壁和顶壁且相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述排风孔设置于所述顶壁，所述进风孔包括设置于所述第一侧壁的复数个第一进风孔和设置于所述第二侧壁的复数个第二进风孔。
3.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述复数个第一进风孔与所述复数个第二进风孔相互对称设置。
4.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，在所述第一侧壁自所述底壁延伸至所述顶壁的高度方向上，所述复数个第一进风孔设置为两排。
5.根据权利要求4所述的冷却装置，其特征在于，在所述第二侧壁自所述底壁延伸至所述顶壁的高度方向上，所述复数个第二进风孔设置为两排。
6.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述复数个第一进风孔分别外接相互独立的进风管。
7.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述复数个第一进风孔共同外接一个进风管。
8.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述复数个第一进风孔与所述复数个第二进风孔的大小相同。
9.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述腔门可被滑移地打开或关闭所述冷却腔。
10.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述腔门包括均活动设置的第一腔门和第二腔门，所述第一腔门和第二腔门设于所述冷却腔相对的两端。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
