[实用新型]一种GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器有效
| 申请号： | 201822163974.8 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN209561861U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 赵双 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光器 分布式布拉格反射镜 电子阻挡层 半导体层 发光层 量子阱 布拉格反射镜 本实用新型 低折射率材料层 高折射率材料层 超晶格材料 发光效率 工艺难度 依次层叠 衬底层 传统的 单色性 谐振腔 跃迁 激光 加工 | ||
1.一种GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其特征在于，包括：
衬底层；
第一分布式布拉格反射镜层，设置于所述衬底层上，所述第一分布式布拉格反射镜层包括交替生长的高折射率材料层和低折射率材料层，所述高折射率材料层为GaAs/AIAs超晶格材料；所述低折射率材料层为AIAs材料；
n型Ge半导体层，设置于所述第一分布式布拉格反射镜层上；
n型Ge掺杂层，设置于所述n型Ge半导体层上；
量子阱发光层，设置于所述n型Ge掺杂层上；
电子阻挡层，设置于所述量子阱发光层上；所述电子阻挡层包括依次层叠于量子阱发光层上的第一电子阻挡层和第二电子阻挡层；
p型Ge掺杂层，设置于所述量子阱发光层上；
p型Ge半导体层，设置于所述p型Ge掺杂层上；
第二分布式布拉格反射镜层，设置于所述p型Ge半导体层上，所述第二分布式布拉格反射镜层包括交替生长的高折射率材料层和低折射率材料层，所述高折射率材料层为GaAs/AIAs超晶格材料；所述低折射率材料层为AIAs材料。
2.根据权利要求1所述的GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜层的厚度为640～900nm。
3.根据权利要求2所述的GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜层中GaAs/AIAs超晶格的对数为3对，每对GaAs/AIAs超晶格种GaAs的厚度为100～150nm，AIAs的厚度为180～300nm。
4.根据权利要求3所述的GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述第二分布式布拉格反射镜层的厚度为1280～1800nm。
5.根据权利要求4所述的GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述第二分布式布拉格反射镜层中GaAs/AIAs超晶格的对数为6对，每对GaAs/AIAs超晶格种GaAs的厚度为100～150nm，AIAs的厚度为180～300nm。
6.根据权利要求5所述的GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述量子阱发光层为掺铟的氮化镓层，所述量子阱发光层的厚度为200～500nm。
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