[实用新型]一种IGBT的驱动和保护电路

说明书

本实用新型公开了一种IGBT的驱动和保护电路，包括光电耦合器、驱动电路、钳位电路、过流保护电路、绝缘栅双极型晶体管，光电耦合器，接收驱动信号并输出高电平或低电平到驱动电路；驱动电路，接收高电平时控制钳位电路将绝缘栅双极型晶体管的G、E两端电压钳位在高电平，绝缘栅双极型晶体管导通；驱动电路，接收低电平时控制所述钳位电路将绝缘栅双极型晶体管的G、E两端电压钳位在低电平，绝缘栅双极型晶体管关断；过流保护电路，检测到电压上升时，钳位电路将绝缘栅双极型晶体管的G、E两端的电压钳位在高电平，过流时间超过设定时间输出一个低电平到驱动电路，驱动绝缘栅双极型晶体管关断。起到绝缘栅双极型晶体管的保护，增强抗骚扰能力。

技术领域

本实用新型涉及绝缘栅双极型晶体管技术领域，特别涉及一种IGBT的驱动和保护电路。

背景技术

由于绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT)特殊的工作性质，如果在IGBT的驱动极栅极产生一定宽度和幅度的脉冲信号足以使IGBT导通，此时IGBT可能处于放大状态或饱和状态。由于IGBT处于放大状态时集电极的电压很高，在IGBT流过一定电流时功耗非常大，而IGBT处于放大状态比饱和状态更容易损坏IGBT。因此，当IGBT导通不受控制，就有可能在刚上电时造成IGBT瞬间流过较长时间过电流，使IGBT损坏。

现有技术中，对高频感应加热对应的IGBT驱动通常采用的混合集成驱动器，但由于电路设计不够合理，通常在使用的过程中因为电流故障直接关断IGBT，影响IGBT的正常使用，容易造成IGBT损坏的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：提供了一种IGBT的驱动和保护电路，解决了对高频感应加热对应的IGBT驱动通常采用的混合集成驱动器，但由于电路设计不够合理，通常在使用的过程中因为电流故障直接关断IGBT，影响IGBT的正常使用，容易造成IGBT损坏的问题。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种IGBT的驱动和保护电路，包括光电耦合器、驱动电路、钳位电路、过流保护电路、绝缘栅双极型晶体管，其中：

所述光电耦合器，用于接收驱动信号并输出高电平或低电平到驱动电路；

所述驱动电路，接收高电平时控制所述钳位电路将绝缘栅双极型晶体管的G、E两端电压钳位在高电平，所述绝缘栅双极型晶体管导通；

所述驱动电路，接收低电平时控制所述钳位电路将绝缘栅双极型晶体管的G、E两端电压钳位在低电平，所述绝缘栅双极型晶体管关断；

所述过流保护电路，检测到绝缘栅双极型晶体管的G、E两端的电压上升时，所述钳位电路将绝缘栅双极型晶体管的G、E两端的电压钳位在高电平，若过流时间超过设定时间时输出一个低电平到驱动电路，所述驱动电路驱动绝缘栅双极型晶体管关断。

进一步地，所述光电耦合器为高速光耦，所述高速光耦包括四个接线端，所述高速光耦的第一接线端连接电源，所述高速光耦的第二接线端和第三接线端与驱动电路连接，所述高速光耦的第四接线端接地。

进一步地，所述驱动电路包括NPN型三极管Q1、PNP型三极管Q2、电阻R6、R7，所述NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2的b极与光电耦合器连接，所述NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2的e极均与电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端与绝缘栅双极型晶体管的G端连接，同时与电阻R7的一端连接，电阻R7的另一端与绝缘栅双极型晶体管的E端连接，同时与钳位电路连接，所述NPN型三极管Q1的c极连接+24V的电源，PNP型三极管Q2的c极接地。