[实用新型]一种具有多级减振外框的体声波谐振器

权利要求书

1.一种具有多级减振外框的体声波谐振器，其特征在于，包括支撑台(1)，以及位于支撑台(1)顶端的谐振体(2)、外接输入电极(3)、外接输出电极(4)、外接地电极(5)以及多级减振外框(6)；

所述外接输入电极(3)和外接输出电极(4)对称设置在支撑台(1)顶端的两侧，且外接输入电极(3)和外接输出电极(4)的两侧均对称设置有外接地电极(5)；

所述谐振体(2)设置在支撑台(1)顶端的中心处，且其两侧分别通过对应的金属导线与外接输入电极(3)和外接输出电极(4)电性连接，所述金属导线设置于支撑梁顶端；

所述多级减振外框(6)围绕中心的谐振体(2)均匀设置。

2.根据权利要求1所述的具有多级减振外框的体声波谐振器，其特征在于，所述支撑台(1)包括从上至下依次设置的硅基底(11)、第一埋氧化层(12)以及背衬底硅(13)，所述谐振体(2)、外接输入电极(3)、外接输出电极(4)、外接地电极(5)以及多级减振外框(6)设置于硅基底(11)顶端。

3.根据权利要求2所述的具有多级减振外框的体声波谐振器，其特征在于，所述外接输入电极(3)和外接输出电极(4)与硅基底(11)的接触部分，均设置有第二埋氧化层(31)。

4.根据权利要求3所述的具有多级减振外框的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振体(2)包括输入金属电极薄膜(21)、输出金属电极薄膜(22)以及压电薄膜(23)，所述输入金属电极薄膜(21)通过金属导线与外接输入电极(3)电性连接，所述输出金属电极薄膜(22)通过金属导线与外接输出电极(4)电性连接，输入金属电极薄膜(21)和输出金属电极薄膜(22)与硅基底(11)的接触部分均设置有压电薄膜(23)。

5.根据权利要求2所述的具有多级减振外框的体声波谐振器，其特征在于，所述背衬底硅(13)的材质为硅，所述硅基底(11)的材质为p型掺杂低阻硅。

6.根据权利要求2所述的具有多级减振外框的体声波谐振器，其特征在于，所述背衬底硅(13)的厚度为400μm，所述硅基底(11)的厚度为10μm。

7.根据权利要求3所述的具有多级减振外框的体声波谐振器，其特征在于，所述第一埋氧化层(12)和第二埋氧化层(31)的材质均为二氧化硅。

8.根据权利要求7所述的具有多级减振外框的体声波谐振器，其特征在于，所述第一埋氧化层(12)和第二埋氧化层(31)的厚度均为1μm。

9.根据权利要求4所述的具有多级减振外框的体声波谐振器，其特征在于，所述输入金属电极薄膜(21)和输出金属电极薄膜(22)的材质均为铝和铬掺杂材质，包括依次设置的金属铝薄膜层和金属铬薄膜层。

10.根据权利要求9所述的具有多级减振外框的体声波谐振器，其特征在于，所述金属铝薄膜层的厚度为1μm，所述金属铬薄膜层的厚度为0.02μm；

所述压电薄膜(23)的材质为氮化铝，且其厚度为0.5μm。