[实用新型]一种高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置有效
申请号: | 201822167816.X | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN209183507U | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 梅华斌;程继明;陈浩 | 申请(专利权)人: | 无锡职业技术学院 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H05F3/00 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 冯智文 |
地址: | 214121 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 干电池 工作台 耗尽型场效应晶体管 安装板顶端 本实用新型 封装装置 安装块 高效率 工作架 固定架 触头 电机 工作台顶端 电机顶端 静电效果 转轴转动 静电 铜线 安装板 滚筒 底端 左端 去除 封装 伤害 | ||
本实用新型涉及封装技术领域,尤其为一种高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置,包括工作架,所述工作架底端固定连接有工作台,所述工作台左侧固定连接有第一触头,所述工作台左端固定连接有安装板,所述安装板顶端固定连接有第一电机,所述第一电机顶端固定连接有安装块,所述安装块内侧固定连接有铜线,所述安装板顶端固定连接有干电池,所述干电池顶端固定连接有第二触头,所述工作台顶端固定连接有固定架,所述固定架通过转轴转动连接有滚筒,本实用新型中,通过设置的电机和干电池,去除静电效果良好,避免了静电对电子元件的伤害,这种设计构思新颖,设计科学,具有巨大的经济效益和广泛的市场前景,值得推广使用。
技术领域
本实用新型涉及封装技术领域,具体为一种高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置。
背景技术
耗尽型场效应晶体管就是在栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管就是在栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET,因此,对此类高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置的需求日益增长。
目前市面上大多数的高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置均为放置卡合型,而传统的高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置使用时会产生静电,静电会对电子元件造成非常大的损伤,甚至击穿,且传统装置造价十分昂贵,工艺复杂,且封装效果不好,容易产生不良品,因此,针对上述问题提出一种高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置,包括工作架,所述工作架底端固定连接有工作台,所述工作台左侧固定连接有第一触头,所述工作台左端固定连接有安装板,所述安装板顶端固定连接有第一电机,所述第一电机顶端固定连接有安装块,所述安装块内侧固定连接有铜线,所述安装板顶端固定连接有干电池,所述干电池顶端固定连接有第二触头,所述工作台顶端固定连接有固定架,所述固定架通过转轴转动连接有滚筒,所述工作台顶端面固定连接有封装台,所述工作架内侧滑动连接有滑杆,所述滑杆顶底两端均固定连接有挡块,顶端所述挡块底端固定连接有弹簧,所述弹簧底端与工作架固定连接,所述工作架前端面固定连接有第二电机,所述第二电机主轴末端固定连接有偏心轮。
优选的,底端所述挡块底端固定连接有压块。
优选的,所述铜线的运动轨迹为圆弧状,所述第一触头和第二触头设置在铜线的运动轨迹上。
优选的,所述滚筒的组数为两组,每组所述滚筒数量为三个,两组所述滚筒呈对称设置在封装台左右两侧。
优选的,所述工作架呈“F”形设置在工作台顶端,所述第二电机设置在滑杆上方,所述偏心轮与挡块滑动连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型中,通过设置的电机和干电池,在电机转动时,电机带动安装块内的铜线转动,转到固定点时,铜线会同时接触第一触头和第二触头,完成去的静电作业,这种设置不仅可以保证干电池的长期使用,且去除静电效果良好,避免了静电对电子元件的伤害,使生产更加安全,提高工作效率。
2、本实用新型中,通过设置的第二电机、偏心轮、压板和连接杆,第二电机运行带动偏心轮转动,偏心轮凸起将挡板压下,从而带动滑杆落下,然后将压板压下,压板对两个原料料带上的原料进行封装,十分方便快捷,工艺简单,成本较低,封装作业更加稳定可靠,不会产生不良品,这种设计构思新颖,设计科学,具有巨大的经济效益和广泛的市场前景,值得推广使用。
附图说明
图1为本实用新型整体结构示意图;
图2为本实用新型偏心轮的安装结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造