[实用新型]柴可拉斯基生长装置转换配件有效

专利信息
申请号: 201822169555.5 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN210048876U 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: K·R·瓦扬古;R·马伦;S·J·图尔凯蒂 申请(专利权)人: GTAT公司
主分类号: C30B15/02 分类号: C30B15/02;C30B29/06
代理公司: 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国新罕*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 生长装置 斯基 转换配件 上料斗 下料斗 本实用新型 分离阀 转换 填充 改进
【说明书】:

一种柴可拉斯基生长装置转换配件,本实用新型是关于一种生长装置转换配件以及用于改进并转换柴可拉斯基生长装置的方法,特别是将批量柴可拉斯基生长装置转换成连续柴可拉斯基生长装置。尤其,分离阀设置在上料斗与下料斗之间,以便在上料斗正在被重新填充时维持下料斗内的条件。

技术领域

本实用新型涉及一种用于将柴可拉斯基法生长装置转换成连续的柴可拉斯基法生长装置的装置转换配件。

背景技术

用于制备用于制造集成电路和光伏太阳能电池的材料的单晶硅锭的最有效和经济的方法之一是柴可拉斯基(Czochrakski,CZ)方法。在典型的CZ工艺中,将硅装料置于坩埚中并通常在约1416℃的温度熔化至其液态。然后降低具有预定结晶取向的小晶体硅晶种以接触熔体表面,然后逐渐取出。通过适当控制温度,液体硅在晶种上冻结,其取向与晶种的取向相同。然后将种子从熔体中缓慢升起,形成生长的硅晶锭,其整体圆柱形状的最终长度为1米或更长,直径为数百毫米。

一般而言,已知两种类型的CZ技术,通常称为柴可拉斯基批量法和连续柴可拉斯基法。在批量CZ中,在加热的坩埚中,在工艺开始时熔化生长中的硅锭所需的装料材料量,并且拉出一锭以实质上上耗尽坩埚。然后可以丢弃坩埚,或者可以再填充坩埚并重复该过程以生长另外的硅锭,这有时也称为半批量工艺。此外,可以使用批量再装料工艺,其中停止晶锭的生长,将原料添加到坩埚中,然后重新开始生长。在两种批量情况下,在锭生长期间不添加原料材料。而且,锭的数量和它们的长度通常受到坩埚尺寸的限制。相比之下,在连续柴可拉斯基(CCZ)法生长过程中,在生长过程中连续或周期性地补充带电材料,因此,可以从一个在生长期间补充的坩埚中一次操作拉出多个锭。此外,由于坩埚在生长期间得到补充,因此可以在一次操作中拉出更长和更高质量的锭。坩埚仅在几个锭循环后被丢弃,并用新坩埚代替。在单次操作中多个长度较长的锭的生长提供了经济和程序上的优点,但是需要与可用于批量CZ法生长的生长装置和装置显着不同类型的生长装置和装置。

实用新型内容

本实用新型是关于一种生长装置转换配件,用以将柴可拉斯基生长装置,特别是批量柴可拉斯基生长装置,转换成连续柴可拉斯基生长装置。含有给料器配件的该生长装置转换配件包含:给料器,可连接至该生长室并置放成馈送固体原料至该生长室中;下料斗,连接至该给料器并置放成馈送固体原料至该给料器中;至少一上料斗,以可移除的方式接附在该下料斗上面并置放成馈送固体原料至该下料斗中;以及给料分离阀,位于该上料斗与该下料斗之间,该给料分离阀组构成当该上料斗正在被再填充时维持在该下料斗中的条件。此外,关闭阀也可位于该上料斗与该下料斗之间。在某些实施例中,生长装置转换配件更包含给料口,组构成位于该批量柴可拉斯基生长装置的该生长室的侧壁并用以耦合至该给料器配件。在某些实施例中,生长装置转换配件更包含给料喷口,组构成固定位在该批量柴可拉斯基生长装置的该生长室内,用以将来自该给料器配件的该固体原料引导至该生长室的坩锅中。该给料喷口具有倾斜下端部,用以接收来自该给料器的该固体原料并将该固体原料馈送至该坩锅中。

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