[实用新型]大功率贴片整流桥框架

说明书

本实用新型公开一种大功率贴片整流桥框架，属于半导体电子器件制造技术领域，包括上框架和位于其下方的下框架，上框架和下框架之间设有内置芯片，上框架和下框架之间设有中框架，中框架包括第一中框架和第二中框架，第一中框架和第二中框架为对称结构，中框架将内置芯片分隔成第一层芯片和第二层芯片，上框架、下框架和中框架均包括框架基体和芯片放置面，其中上框架芯片放置面与第一中框架芯片放置面相对应设置用于放置第一层芯片，第二中框架芯片放置面与下框架芯片放置面相对应设置用于放置第二层芯片，如此设置扩展了框架的应用范围，承载更大尺寸的芯片，解决了现有技术中出现的问题。

技术领域

本实用新型涉及一种大功率贴片整流桥框架，属于半导体电子器件制造技术领域。

背景技术

如图1-2所示，现有贴片整流桥框架通常采用两片式框架结构，其分为上框架1及下框架2，两框架组合形成整流器内置框架结构，其芯片放置面位于同一平面上即单平面(单层)结构。

应手机充电器等小型充电设备的发展需求，贴片整流桥封装尺寸日渐扁平化，小型化，而现有的贴片整流桥框架又需在同一平面布置的4颗芯片，故限制了更大尺寸的芯片的应用，目前最大放置60MIL芯片。

现有的框架存在因芯片间距过近导致电气间隙不足等可靠性问题，又因本体小而内置框架大易出现内置框架外露等安全性问题。

因结构限制老式框架各芯片放置面等效散热面积不同导致各芯片间散热不同，而半导体芯片又属于热敏感性元件，易发生因热积聚引起的单颗芯片失效。

因结构限制老式框架安置芯片需采用的“两上两下”的方式，即2颗芯片P面朝下，2颗芯片P面朝下，而芯片两面结构并不相同，芯片P面有玻璃钝化保护层，N面则无；因此老式框架安置芯片的上下两面所受应力不同，而有玻璃保护的P面易因应力集中而发生碎裂，导致产品失效。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种大功率贴片整流桥框架，扩展了框架的应用范围，提升产品承载电流能力，解决了现有技术中出现的问题。

本实用新型所述的大功率贴片整流桥框架，包括上框架和位于其下方的下框架，上框架和下框架之间设有内置芯片，上框架和下框架之间设有中框架，中框架包括第一中框架和第二中框架，第一中框架和第二中框架为对称结构，中框架将内置芯片分隔成第一层芯片和第二层芯片，上框架、下框架和中框架均包括框架基体、上框架芯片放置面、下框架芯片放置面、第一中框架芯片放置面和第二中框架芯片放置面，其中上框架芯片放置面与第一中框架芯片放置面相对应设置用于放置第一层芯片，第二中框架芯片放置面与下框架芯片放置面相对应设置用于放置第二层芯片。

所述的贴片整流桥框架还包括上框架横梁、中框架横梁和下框架横梁，上框架横梁的下方连接若干个上框架，中框架横梁的上下两侧分别连接若干个第一中框架和第二中框架，下框架横梁的上方连接若干个下框架。

所述的上框架芯片放置面、第一中框架芯片放置面和第二中框架芯片放置面的中部设有左右对称的凸台，凸台的位置上下对应；增大引线框架与芯片的结合面积，改善焊接效果，防止芯片错动。

所述的上框架和下框架的边缘设有定位孔，防止合片时框架间错动。

所述的上框架和下框架的中间位置设有锁紧通孔，锁紧通孔的位置上下对应。

本实用新型与现有技术相比，具有如下有益效果：

本实用新型所述的大功率贴片整流桥框架，扩展了框架的应为范围，可容纳更大尺寸芯片，提升产品承载电流能力，由目前的2A提升至10A.拓展了贴片整流桥的应用功率范围；应用该框架的产品散热好，提高应用后产品的可靠性；应用该框架的产品安全性好；应用该框架的产品框架与塑封体间结合紧密度好；应用该框架的产品安装性与现行DBS封装产品通用，客户端无需更改焊盘形式可直接替换，解决了现有技术中出现的问题。

附图说明