[实用新型]精准测量温度的层结构元件和半导体器件加工设备

权利要求书

1.一种精准测量温度的层结构元件，其特征在于，包括元件基体、薄膜热电偶层和温度测量点；

所述薄膜热电偶层设置在所述元件基体上，所述薄膜热电偶层包括至少一个测温单元，在每一测温单元上均设置有所述温度测量点，通过测温单元上的温度测量点对所述元件基体上的测温区域进行温度测量；

其中，对所述元件基体上的任一目标测温区域，由对所述目标测温区域进行温度采集的目标测温单元对所述目标测温区域进行温度测量。

2.根据权利要求1所述的精准测量温度的层结构元件，其特征在于，所述元件基体上的每一测温区域均通过所述薄膜热电偶层上的一个测温单元进行温度测量；

每一测温单元均包括第一热电偶布线、第二热电偶布线、第一测量点、第二测量点和由所述第一热电偶布线和第二热电偶布线的重叠区域形成的温度采集点，所述温度采集点位于所述元件基体的测温区域内，所述第一热电偶布线由所述温度采集点延伸到所述第一测量点，所述第二热电偶布线由所述温度采集点延伸到所述第二测量点，通过所述第一测量点和所述第二测量点对所述温度采集点所在的测温区域进行温度测量；

在每一测温单元的第一测量点和第二测量点上均设置有所述温度测量点；

其中，在所述薄膜热电偶层中，所述目标测温单元的温度采集点位于所述目标测温区域内，通过所述目标测温单元的第一测量点上的温度测量点和第二测量点上的温度测量点对所述目标测温区域进行温度测量；形成第一热电偶布线的材料和形成第二热电偶布线的材料不相同。

3.根据权利要求2所述的精准测量温度的层结构元件，其特征在于，所述薄膜热电偶层还包括测量区域，每一测温单元的第一测量点和第二测量点均位于所述测量区域内。

4.根据权利要求3所述的精准测量温度的层结构元件，其特征在于，所述测量区域位于所述元件基体的边缘。

5.根据权利要求1所述的精准测量温度的层结构元件，其特征在于，若所述元件基体为导电材料，则还包括设置在所述元件基体和所述薄膜热电偶层之间的绝缘层，所述绝缘层用于隔绝所述元件基体和所述薄膜热电偶层的接触。

6.根据权利要求1所述的精准测量温度的层结构元件，其特征在于，若所述元件基体和所述薄膜热电偶层的热膨胀系数不匹配，则还包括设置在所述元件基体和所述薄膜热电偶层之间的过渡层，所述过渡层与所述元件基体的热膨胀系数匹配且所述过渡层与所述薄膜热电偶层的热膨胀系数匹配。

7.根据权利要求3所述的精准测量温度的层结构元件，其特征在于，所述元件基体为半导体基片或用于承载半导体基片的载板。

8.根据权利要求3所述的精准测量温度的层结构元件，其特征在于，还包括隔离层，所述隔离层设置在所述薄膜热电偶层上，覆盖在所述薄膜热电偶层上除了每一测温单元的第一测量点和第二测量点之外的区域上，用于隔绝所述薄膜热电偶层和外界空气的接触。

9.根据权利要求8所述的精准测量温度的层结构元件，其特征在于，所述薄膜热电偶层通过蒸镀、溅射或者等离子喷涂形成，所述隔离层通过蒸镀、溅射或者等离子喷涂形成。

10.一种半导体器件加工设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的精准测量温度的层结构元件。