[实用新型]钙钛矿量子点电致发光单元及发光器件

说明书

本申请公开了一种钙钛矿量子点电致发光单元，包括TFT控制层、第一介质层以及发光像素单元；所述第一介质层沉积在所述TFT控制层上，所述第一介质层上设有像素槽，所述发光像素单元位于所述像素槽中；所述TFT控制层中的漏极金属延伸至所述像素槽的槽底，作为所述发光像素单元的底电极。该发光单元通过设置TFT(薄膜晶体管)独立控制开关，从而可以调节通过发光像素单元的电流的通断和强弱。

技术领域

本申请涉及一种钙钛矿量子点电致发光单元及发光器件，属于发光显示技术领域。

背景技术

现有技术中，钙钛矿型电致发光器件包括阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，其中，发光层是由量子点发光材料和有机-无机杂化钙钛矿材料组成的量子点复合发光层。外电路与阳极基板和阴极层电极连接，从而控制发光层的发光状态。

然而目前钙钛矿量子点电致发光器件局限于单个像素的制作，并不能实现阵列化的像素排布及主动控制，无法真正实现显示应用。所以，具有主动矩阵式驱动的钙钛矿量子点电致发光器件成为钙钛矿量子点显示实现应用过程中亟待解决的问题。

实用新型内容

根据本申请的一个方面，提供了一种钙钛矿量子点电致发光单元，该发光单元通过设置TFT(薄膜晶体管)独立控制开关，从而可以调节通过发光像素单元的电流的通断和强弱。

本申请提供的一种钙钛矿量子点电致发光单元，包括TFT控制层、第一介质层以及发光像素单元；

所述第一介质层沉积在所述TFT控制层上，所述第一介质层上设有像素槽，所述发光像素单元位于所述像素槽中；

所述TFT控制层中的漏极金属延伸至所述像素槽的槽底，作为所述发光像素单元的底电极。

可选地，所述TFT控制层包括基板以及覆盖在所述基板上的第二介质层；

所述第二介质层中埋设有栅极、源极和漏极；

所述栅极位于所述第二介质层与所述基板的接触处；

所述源极和漏极位于所述栅极的上方；

所述源极和漏极之间设有沟道层。

可选地，所述栅极材料、源极材料和漏极材料选自金属Mo、金属Cu中的任意一种；

所述沟道层材料选自无定形硅、低温多晶硅、氧化物中的任意一种；

优选地，所述氧化物选自In-Ga-Zn-O、In-Zn-O、Ga-Zn-O中的至少一种。

可选地，所述发光像素单元由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿纳米晶油墨层、电子传输层、顶电极。

可选地，所述空穴注入层材料为聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐；

所述空穴传输层材料为(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)；

所述电子传输层材料为ZnO；

所述顶电极材料为金属Al；

所述钙钛矿纳米晶油墨层包括0.01wt％至5wt％的有机-无机杂化钙钛矿纳米晶，70wt％至99wt％的有机溶剂，1wt％至30wt％的具有成膜性且光学透明的聚合物，0.1wt％至10wt％稳定剂。

可选地，所述第一介质层和所述第二介质层材料选自SiO₂、SiNxO_y中的至少一种。

根据本申请的另一方面还提供了一种钙钛矿量子点电致发光器件，包括至少一个上述任一项所述的钙钛矿量子点电致发光单元。