[实用新型]正入射共面电极阵列光电芯片及其封装结构有效
申请号: | 201822183878.X | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209401626U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分光单元 入射光 共面电极 光电芯片 正入射 分光槽 吸收层 本实用新型 封装结构 芯片 吸光区 光功率监控 光通信传输 第二电极 第一电极 光电转换 芯片正面 缓冲层 顶层 衬底 分光 射出 开口 贯穿 | ||
本实用新型涉及光通信传输技术领域,具体涉及一种正入射共面电极阵列光电芯片及其封装结构;一种正入射共面电极阵列光电芯片,包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;芯片上还包括多个分光单元,每个分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极;分光槽向芯片正面的方向开口并贯穿芯片的吸收层;芯片的正面上还设有至少一个第二电极;每束入射光射向对应的分光单元,每束入射光的一部分从对应的分光单元的分光槽射出,每束入射光的另一部分从对应的分光单元的吸光区进入到吸收层内进行光电转换;故本实用新型提供的正入射共面电极阵列光电芯片能够对多束入射光的每束入射光分别进行分光和光功率监控。
技术领域
本实用新型涉及光通信传输技术领域,具体涉及一种正入射共面电极阵列光电芯片及其封装结构。
背景技术
激光器发射的光信号经光纤传输进入无源光波导(PLC)之前,通常需要光分路器分出部分(例如5%)光信号到另外的光电芯片上,进行光功率监控。剩余(例如95%)的光信号通过光纤耦合到光波导,进行传输。
在实际使用中,通常会有几十甚至几百条这样的光链路,相对应的就需要有几十甚至几百个光分路器,进而造成系统体积庞大。而且由于器件众多,成本就高。
实用新型内容
为了实现上述技术问题,本实用新型提供了一种正入射共面电极阵列光电芯片,包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层,所述缓冲层位于所述吸收层和所述衬底之间;所述顶层位于所述吸收层与所述缓冲层相背的一表面,所述顶层相对所述衬底更靠近所述芯片的正面;
所述芯片上还包括多个分光单元,每个所述分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极;所述分光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述芯片的吸收层;所述吸光区和所述第一电极均设于所述芯片的正面,并所述第一电极位于所述吸光区的外侧;
所述芯片的正面上还设有至少一个第二电极,所述第二电极与所述缓冲层相连接;
以所述芯片的正面为入光侧,每束入射光射向对应的所述分光单元,每束入射光的一部分从对应的所述分光单元的分光槽射出,每束入射光的另一部分从对应的所述分光单元的吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。
本实用新型提供的正入射共面电极阵列光电芯片设置了多个分光单元,每个分光单元又包括分光槽和吸光区。分光槽贯穿芯片的吸收层。多束入射光从芯片的正面射向芯片,每束入射光射入对应的分光单元。每束入射光的一部分从对应的分光单元的分光槽透射分出,因为这部分光通过分光槽未经过吸收层而无损穿过所述芯片,从而继续进行光信号的传输。每束入射光的另一部分从对应的分光单元的吸光区内射入所述芯片,进行光电转换,从而产生光生电流,进而进行光功率监控。故本实用新型提供的正入射共面电极阵列光电芯片能够对多束入射光的每束入射光分别进行分光和光功率监控,进而使得应用本实用新型提供的芯片的光路系统,无须使用大量的光分路器进行分光,大大减少了系统体积,同时也降低了成本。
进一步地,每个所述分光单元还包括光敏区,所述光敏区设于所述顶层;所述光敏区的内端位于所述吸收层,所述光敏区的外端与对应的所述第一电极相连接;所述光敏区与对应的所述吸光区有重叠区域;
多个所述分光单元共用所述顶层和所述吸收层,多个所述分光单元的光敏区间隔设置,各个所述分光单元的光敏区通过对应一个所述第一电极输出光电转换信号。
进一步地,所述芯片的正面上还设有多个与所述分光单元一一对应的电极焊盘,每个所述分光单元的第一电极通过电极连接线与对应的所述电极焊盘相电连接;
多个所述分光单元的第一电极之间相互绝缘设置,多个所述电极焊盘之间相互绝缘设置,多个所述电极连接线之间相互绝缘设置;所述第二电极与每个所述分光单元的第一电极相互绝缘设置,所述第二电极也分别与每个所述电极焊盘和每个所述电极连接线相互绝缘设置。
进一步地,所述分光槽的内端位于所述缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的