[实用新型]一种改善锗单晶片总厚度变化的装置

权利要求书

1.一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，包括固定盘（1），其特征在于：所述固定盘（1）顶部开设有吸附孔（2），所述吸附孔（2）远离固定盘（1）表面的一端连通有压力槽（3），所述压力槽（3）开设在固定盘（1）内部，所述固定盘（1）顶部边缘固定连接有固定圈（4），所述压力槽（3）内壁一侧开设有活塞槽（5），所述活塞槽（5）内壁远离压力槽（3）的一端开设有螺纹孔（6），所述螺纹孔（6）贯穿固定盘（1），所述活塞槽（5）内壁滑动连接有活塞（7），所述活塞（7）靠近螺纹孔（6）的一侧转动连接有活塞杆（8），所述活塞杆（8）通过螺纹孔（6）贯穿固定盘（1）并延伸至固定盘（1）外部，所述活塞杆（8）位于固定盘（1）外部的一端固定连接有转动盘（9）。

2.根据权利要求1所述的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于：所述固定盘（1）顶部连接有无蜡垫（10）。

3.根据权利要求2所述的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于：所述固定圈（4）的内径与无蜡垫（10）的直径相适配。

4.根据权利要求2所述的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于：所述固定圈（4）的厚度是无蜡垫（10）厚度的三分之二，所述压力槽（3）及吸附孔（2）内部均充满水。

5.根据权利要求1所述的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于：所述吸附孔（2）为环形分布。

6.根据权利要求1所述的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于：所述活塞杆（8）上开设有与螺纹孔（6）相适配的外螺纹并与螺纹孔（6）螺纹连接。