[实用新型]光束成像装置有效

专利信息
申请号: 201822196530.4 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN209103032U 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 田立飞;刘敬伟 申请(专利权)人: 中科天芯科技(北京)有限公司
主分类号: G02F1/01 分类号: G02F1/01
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 李博洋
地址: 100009 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 图形层 包层 光束成像 电极层 本实用新型 两侧设置 直接设置 制备过程 上表面
【权利要求书】:

1.一种光束成像装置,其特征在于,包括:

图形层(10)、设置于所述图形层(10)两侧的包层(20)、以及直接接触设置于所述图形层(10)一侧的包层(20)表面上的电极层(30)。

2.根据权利要求1所述的光束成像装置,其特征在于,还包括:

衬底层(40),设置在所述图形层(10)另一侧的包层(20)表面上。

3.根据权利要求2所述的光束成像装置,其特征在于,所述图形层(10)的折射率大于所述包层(20)的折射率。

4.根据权利要求1所述的光束成像装置,其特征在于,所述电极层(30)在所述图形层(10)上的投影至少覆盖所述图形层(10)。

5.根据权利要求1所述的光束成像装置,其特征在于,所述图形层(10)包括多个平行且间隔设置的图形单元。

6.根据权利要求5所述的光束成像装置,其特征在于,所述图形单元的形状包括长方体、圆柱、圆锥或者圆环。

7.根据权利要求5所述的光束成像装置,其特征在于,所述图形单元的形状为长方体,所述长方体的厚度为20nm-5000nm,宽度为20nm-5000nm。

8.根据权利要求5所述的光束成像装置,其特征在于,相邻所述图形单元的间距为20nm-5000nm。

9.根据权利要求1-8中任一所述的光束成像装置,其特征在于,所述图形层(10)的折射率高于2.3。

10.根据权利要求1-8中任一所述的光束成像装置,其特征在于,所述包层(20)和/或所述图形层(10)中的至少一个的禁带宽度不小于2.3eV。

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