[实用新型]非线性反馈电路及采用其的低噪声放大器

说明书

本实用新型公开了非线性反馈电路，包括至少一个二极管。本实用新型还公开了采用该非线性反馈电路的低噪声放大器。本实用新型通过二极管的负温度特性来对低噪声放大器的增益变化进行温度补偿，从而实现增益稳定。此外，通过二极管的非线性特征也能够为低噪声放大器提供高次谐波，高次谐波的相互对消与加成能够提高低噪声放大器的OIP3。

技术领域

本实用新型涉及低噪声放大器，特别是涉及非线性反馈电路及采用其的低噪声放大器。

背景技术

现在随着市场需求的不断增加，放大器芯片经常被使用在很多不同的环境温度下。但是在不同的环境温度下，pHemt管的特性会产生一定的变化，这会导致放大器的增益有较大的波动，其中一般小信号增益波动为1-3dB。普通的分压式供电方法在温度变化下会使得放大器的增益变化较大。功率放大器工作在饱和状态且较高偏置点下，随着温度的升高，电流是降低的。现有技术中，对于增强型pHemt管，一般用电流镜来实现温度补偿，但是此种温度补偿电路往往只适用于功率放大器，不适用于低噪声放大器。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型的目的是提供一种非线性反馈电路及采用其的低噪声放大器，能够解决现有技术中温度补偿电路不适用于低噪声放大器的问题。

技术方案：为达到此目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型所述的非线性反馈电路，包括至少一个二极管；当二极管只有一个时，二极管的阴极用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极，二极管的阳极用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极；当二极管有两个或者两个以上时，所有二极管都是串联的，其中，第一个二极管的阳极用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极，第一个二极管的阴极连接第二个二极管的阳极，最后一个二极管的阴极用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极。

进一步，还包括第一电阻R1；当二极管只有一个时，第一电阻R1的一端连接二极管的阴极；当二极管有两个或者两个以上时，第一电阻R1的一端连接最后一个二极管的阴极；第一电阻R1的另一端用于接地。这样能够将二极管的负温度特性和第一电阻R1的正温度特性互补起来，防止仅采用二极管时难以补偿到合适温度。并且还能够提高P1dB。

进一步，还包括第二电阻R2；当二极管只有一个时，第二电阻R2与二极管串联，第二电阻R2与二极管组成的串联电路的一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极，第二电阻R2与二极管组成的串联电路的另一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极；当二极管有两个或者两个以上时，第二电阻R2与所有二极管均串联，第二电阻R2与所有二极管组成的串联电路的一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极，第二电阻R2与所有二极管组成的串联电路的另一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极。这样能够将二极管的负温度特性和第二电阻R2的正温度特性互补起来，防止仅采用二极管时难以补偿到合适温度。并且还能够提高P1dB。

进一步，还包括第三电阻R3和第一电感L1；当二极管只有一个时，第三电阻R3的一端连接二极管的阴极，第一电感L1的一端连接二极管的阳极；当二极管有两个或者两个以上时，第三电阻R3的一端连接最后一个二极管的阴极，第一电感L1的一端连接第一个二极管的阳极；第三电阻R3的另一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极，第一电感L1的另一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极。通过第三电阻R3能够形成高阻状态，防止直流信号耦合到射频端。通过第一电感L1可以利用L1的感性阻止直流信号耦合到射频。

进一步，还包括第一电容C1和第二电容C2；当二极管只有一个时，第一电容C1的一端连接二极管的阳极，第二电容C2的一端连接二极管的阴极；当二极管有两个或者两个以上时，第一电容C1的一端连接第一个二极管的阳极，第二电容C2的一端连接最后一个二极管的阴极；第一电容C1的另一端和第二电容C2的另一端均用于接地。这样能够通过第一电容C1和第二电容C2滤除直流端耦合到射频端的电流。