[实用新型]功率器件和电子设备有效
| 申请号： | 201822208289.2 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN209104155U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈文高;杨东林;刘侠 | 申请（专利权）人： | 上海昱率科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电类型 外延层 体区 功率器件 间隔区 元胞区 终端区 衬底 第一导电类型 电子设备 浓度分布 可调整 耐压 掺杂 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率器件，包括：
衬底；
第一导电类型的外延层，设置于所述衬底之上，所述外延层包括元胞区和终端区；
多个第二导电类型的第一体区，设置于所述外延层的元胞区中；
多个第二导电类型的第二体区，设置于所述外延层的终端区中；
其中，所述多个第二体区之间的多个间隔区为第二导电类型，所述多个第二导电类型的第二体区与多个第二导电类型的间隔区构成掺杂浓度分布可调整的整体耐压环。
2.如权利要求1所述的功率器件，其中，相邻的第二体区的注入窗口之间的间距小于所述第二体区的结深。
3.如权利要求1所述的功率器件，其中，相邻的第二体区的注入窗口之间的间距是相等的。
4.如权利要求1所述的功率器件，其中，相邻的第二体区的注入窗口之间的间距是变化的。
5.如权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二体区的掺杂浓度高于所述间隔区的掺杂浓度。
6.如权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二体区的掺杂浓度低于所述第一体区的掺杂浓度。
7.如权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二体区的结深大于所述第一体区的结深。
8.如权利要求1所述的功率器件，其中，还包括形成在所述第一体区中的第一导电类型的源区和形成在所述衬底中的第一导电类型的漏区。
9.一种电子设备，包括至少部分地由如权利要求1至8中任意一项所述的功率器件形成的集成电路。
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