[实用新型]一种低功耗低噪声放大器

权利要求书

1.一种低功耗低噪声放大器，其特征在于，包括输入匹配电路模块、输出匹配电路模块、放大电路模块和负反馈模块；

输入匹配电路模块，包括电容C1、电阻R1，所述电容C1的一端接输入信号，所述电容C1的另一端接所述电阻R1的一端；

放大电路模块，包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12，所述场效应晶体管Q1的栅极与所述电阻R1的另一端连接，所述场效应晶体管Q1的漏极分别与所述电阻R2的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R3的一端连接，所述场效应晶体管Q1的源极与所述电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端接地，所述电阻R3的另一端和所述电容C3的另一端同时与所述电容C4的一端和所述电容C5的一端连接，所述电容C4的另一端接地，所述场效应晶体管Q2的栅极与所述电容C5的另一端连接，所述场效应晶体管Q2的漏极分别与所述电阻R4的一端、所述电容C7的一端和所述电阻R5的一端连接，所述场效应晶体管Q2的源极与所述电容C6的一端连接，所述电容C6的另一端接地，所述电容C7的另一端和所述电阻R5的另一端同时与所述电容C8的一端和所述电容C9的一端连接，所述电容C8的另一端接地，所述场效应晶体管Q3的栅极与所述电容C9的另一端连接，所述场效应晶体管Q3的漏极分别与所述电阻R6的一端、所述电容C11的一端和所述电阻R7的一端连接，所述场效应晶体管Q3的源极与所述电容C10的一端连接，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R7的另一端和所述电容C11的另一端同时与所述电容C12的一端连接，所述电容C12的另一端接地；

输出匹配电路模块，包括电容C13、电阻R8，所述电阻R8的一端与所述电阻R7的另一端、所述电容C11的另一端和所述电容C12的一端连接，所述电阻R8的另一端与所述电容C13的一端连接，所述电容C13的另一端接输出端口；

负反馈电路模块，包括电感L1、电感L2、电感L3、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C14、电容C15、电容C16，所述电阻R9的一端分别与所述电阻R1的另一端和所述场效应晶体管Q1的栅极连接，所述电阻R9的另一端分别与所述电阻R10的一端和所述电容C14的一端连接，所述电阻R10的另一端接地，所述电容C14的另一端分别与所述电感L1的一端和所述电感L2的一端连接，所述电感L1的另一端接地，所述电感L2的另一端分别与所述电感L3的一端、所述电阻R11的一端和所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端接地，所述电阻R11的另一端分别与所述电阻R7的另一端、所述电容C11的另一端、所述电容C12的一端和所述电阻R8的一端连接，所述电感L3的另一端分别与所述电容C15的一端、所述电容C16的一端和电压Vdd连接，所述电容C15的另一端接地，所述电容C16的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗低噪声放大器，其特征在于，所述场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3均为MOS管。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗低噪声放大器，其特征在于，所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3、所述电阻R4、所述电阻R5、所述电阻R6、所述电阻R7、所述电阻R8、所述电阻R9、所述电阻R10、所述电阻R11和所述电阻R12的电阻值均为10Ω。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗低噪声放大器，其特征在于，所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3、所述电容C4、所述电容C5、所述电容C6、所述电容C7、所述电容C8、所述电容C9、所述电容C10、所述电容C11、所述电容C12、所述电容C13、所述电容C14、所述电容C15和所述电容C16的电容值大小均为22uF。

5.根据权利要求1所述的一种低功耗低噪声放大器，其特征在于，所述电感L1、所述电感L2和所述电感L3的电感值大小为150uH。