[实用新型]一种设有散热缝隙的植锡钢网有效
申请号: | 201822211183.8 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN209216924U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 张志衡 | 申请(专利权)人: | 深圳市潜力创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 深圳市中联专利代理有限公司 44274 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 散热缝隙 锡膏 植锡区 散热单元 散热区域 网板 锡钢 本实用新型 散热间隙 桥接部 植锡孔 填充 渗漏 | ||
本实用新型提供了一种设有散热缝隙的植锡钢网,包括网板,设于网板上用于放置IC的IC植锡区,设于IC植锡区四周的散热区域,所述散热区域由多个散热单元组成,每个散热单元至少包括一个环形散热缝隙,所述环形散热缝隙的两侧缝隙内各设有一个桥接部。植锡过程中,锡膏从IC植锡区刮过后,锡膏均匀的填充在植锡孔中,多余的锡膏需要刮到IC植锡区之外,环形散热缝隙的间隙很小,锡膏经过散热间隙时,不会渗漏,从而便于收集多余的锡膏,避免浪费。
技术领域
本实用新型涉及手机等电子产品维修技术领域,具体是指一种设有散热缝隙的植锡钢网。
背景技术
BGA锡球是用来代替IC芯片元件封装结构中的引脚,从而满足电性互连以及机械连接要求的一种连接件,现有的植锡钢网没有散热设计,散热性不好,没有反弹力,热风枪力口热后容易造成植锡钢网鼓起,植锡成功率低,为了解决该问题,现有的植锡钢网在IC植锡区的四周设置多个散热孔,散热孔呈方形或圆形,采用该结构,虽然可以解决散热并防止植锡钢网鼓起的问题,但在植锡过程中,采用刮锡刀具将剩余的锡膏刮出IC植锡区之外时,剩余的锡膏容易从散热孔中渗漏,从而造成锡膏的浪费。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足之处,本实用新型目的在于提供一种既能满足散热要求,而且可防止锡膏浪费的设有散热缝隙的植锡钢网。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:一种设有散热缝隙的植锡钢网,包括网板,设于网板上用于放置IC的IC植锡区,设于IC植锡区四周的散热区域,所述散热区域由多个散热单元组成,每个散热单元至少包括一个环形散热缝隙,所述环形散热缝隙的两侧缝隙内各设有一个桥接部。植锡过程中,锡膏从IC植锡区刮过后,锡膏均匀的填充在植锡孔中,多余的锡膏刮到IC植锡区之外,因位于IC植锡区四周的散热区域由多个散热单元组成,而组成散热单元的环形散热缝隙的间隙很小,锡膏经过散热间隙时,不会渗漏,从而便于收集多余的锡膏,避免浪费。
优选地,所述散热单元包括四个环形散热缝隙,四个环形散热缝隙分为两组,每组的两个环形散热缝隙位于同一直线上。
优选地,两组环形散热缝隙相交后呈“十”字形或“X”字形。
有益技术效果:IC植锡区四周的散热区域由多个散热单元组成,而组成散热单元的环形散热缝隙的间隙很小,植锡过程中,锡膏从IC植锡区刮过后,锡膏均匀的填充在植锡孔中,多余的锡膏需要刮到IC植锡区之外,环形散热缝隙的间隙很小,锡膏经过散热间隙时,不会渗漏,从而便于收集多余的锡膏,避免浪费。
附图说明
图1为本实用新型的主视图;
图2为本实用新型的散热单元放大图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本新型方案,下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。
如图1所示,一种设有散热缝隙的植锡钢网,包括网板1,设于网板上用于放置IC的IC植锡区2,因为需要植锡的IC布局或构造不同,在一块网板上通常需要设置一个或几个不同造型的IC植锡区,本实施例中,在网板1上设置两个IC植锡区2。
为了散热,防止植锡过程中因加热使网板1鼓起,在IC植锡区2四周均设有散热区域3,所述散热区域3由多个散热单元301组成,每个散热单元至少包括一个环形散热缝隙301a,所述环形散热缝隙的两侧缝隙内各设有一个桥接部303。所述环形散热缝隙301a整体呈跑道型,在加工过程中,通过切割等方式加工出散热缝隙,为了使位于环形散热缝隙301a内且本来与网板为一体的金属板101不会从网板1上脱落,在环形散热缝隙的两侧缝隙内各设有一个桥接部303,用于将金属板101和网板连接在一起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造