[实用新型]一种四路直驱点火电路

说明书

本实用新型公开了一种四路直驱点火电路，包括管壳和三氧化二铝陶瓷基板，所述三氧化二铝陶瓷基板通过烧结安装于管壳上，且三氧化二铝陶瓷基板通过导电银浆分别粘接有NPN三极管芯片和P‑MOSFET芯片，所述三氧化二铝陶瓷基板上分别安装有厚膜电阻和焊盘，且三氧化二铝陶瓷基板上粘接有运算放大器芯片，所述元器件与焊盘之间、焊盘与外引线之间、元器件与外引线之间均通过铝丝构成电性连接。该四路直驱点火电路设置有三氧化二铝陶瓷基板，该点火电路为集成化结构，具有体积小、重量轻的特点，并且将所有器件封装在同一封装内，可以保证器件的密封性、可靠性，同时在同一环境下工作，一致性好，可靠性高。

技术领域

本实用新型涉及混合集成电路技术领域，具体为一种四路直驱点火电路。

背景技术

混合集成电路是由半导体集成工艺与薄（厚）膜工艺结合而制成的集成电路。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成，主要用于兵器领域中弹上起到点火控制的作用。

现有的弹上控制点火电路多为分立器件连接的方式结构，此结构占用空间较大、装配及安装调试过程均比较复杂，功率管多数采用比较笨重的F2型传统封装，采用分立器件搭建的电路产品的一致性比较差，且其散热性能较差，开关速度也存在着较慢的问题，为此，我们提出一种散热性能更佳、开关速度更快的四路直驱点火电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种四路直驱点火电路，以解决上述背景技术中提出的现有的弹上控制点火电路多为分立器件连接的方式结构，此结构占用空间较大、装配及安装调试过程均比较复杂，功率管多数采用比较笨重的F2型传统封装，采用分立器件搭建的电路产品的一致性比较差，且其散热性能较差，开关速度也存在着较慢的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种四路直驱点火电路，包括管壳和三氧化二铝陶瓷基板，所述三氧化二铝陶瓷基板通过烧结安装于管壳上，且三氧化二铝陶瓷基板通过导电银浆分别粘接有NPN三极管芯片和P-MOSFET芯片，所述三氧化二铝陶瓷基板上分别安装有厚膜电阻和焊盘，且三氧化二铝陶瓷基板上粘接有运算放大器芯片，所述元器件与焊盘之间、焊盘与外引线之间、元器件与外引线之间均通过铝丝构成电性连接。

优选的，所述厚膜电阻包括电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6组成，且电阻R1和R2串联接入控制电源端VCC和控制电源地端GND。

优选的，所述运算放大器芯片反相输入端接在电阻R1和R2的结点，且其同相输入端通过电阻R3接地，而且电阻R3的另一端与输入端TTL电平VIN相连。

优选的，所述运算放大器芯片的输出端通过电阻R4与NPN三极管芯片的基极构成电性连接，且NPN三极管芯片的集电极电阻R6接P-MOSFET芯片的栅极。

优选的，所述NPN三极管芯片的发射极与接地端PGND相连，P-MOSFET芯片的漏极通过电阻R7接入电源端VSS。

优选的，所述P-MOSFET芯片的栅极接在电阻R5、R6结点，P-MOSFET芯片的漏极为输出端OUT。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、管壳与大功率芯片之间采用三氧化二铝陶瓷基片进行隔离，此陶瓷基片热导率良好，管壳为钨铜材质，具有和三氧化二铝陶瓷基板相匹配的线性膨胀系数，且这两种材质的散热性能极好；

2、控制信号输入部分与后级功率输出部分通过NPN三极管进行控制，起到高速开关作用；

3、该点火电路为集成化结构，具有体积小、重量轻的特点，并且将所有器件封装在同一封装内，可以保证器件的密封性、可靠性，同时在同一环境下工作，一致性好，可靠性高。

附图说明