[实用新型]一种带有测温传感器的IGBT及其电磁炉电路

说明书

本实用新型涉及一种带有测温传感器的IGBT及其电磁炉电路。一种带有测温传感器的IGBT，包括IGBT本体，及设于IGBT本体上的热敏电阻；所述IGBT本体包括保护壳，设于保护壳内部的电路板，及与电路板连接的插脚；所述保护壳外侧设有与电路板联通的安装腔；所述热敏电阻设于安装腔内。本实用新型热敏电阻设在IGBT本体，以对IGBT本体进行实时检测，以对IGBT本体内部电路进行实时检测，如果有急速的升温，能及时的断电，避免IGBT本体工作时生产的热量损坏IGBT本体。具有测温度功能的IGBT应用在电磁炉电路中，能有效的保护电磁炉电路，避免电磁炉工作时间过程而导致IGBT发热烧坏，延长电磁炉的寿命。

技术领域

本实用新型涉及电子产品，更具体地说是指一种带有测温传感器的 IGBT及其电磁炉电路。

背景技术

IGBT爆炸属于失效的一种形象表现。很多时候器件失效是从外表看不出来任何异常的，即使把封装去掉，裸眼去看芯片表面也看不到任何异常的。而爆炸就是很剧烈的一种失效了。发生爆炸的根本原因还是由于有大量的能量在器件内部瞬间产生。

而家用电器电磁炉，IGBT是不可或缺的部件。由于电磁炉在工作时，IGBT会产生大量的热量，如果不能及时检测处理，有可能会造成IGBT的爆炸、烧坏等不良影响。所以，需要对IGBT进行改进，使得IGBT的使用更加安全。而现有的检测IGBT温度的常规方法是对IGBT模块温度的检测，而IGBT 在工作中往往会瞬间的温度升高，如果是检测IGBT模块的话，会产生误差，得到的温度不是IGBT上的温度，所以常常会造成IGBT的损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种带有测温传感器的IGBT及其电磁炉电路。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种带有测温传感器的IGBT，包括IGBT本体，及设于IGBT本体上的热敏电阻；所述IGBT本体包括保护壳，设于保护壳内部的电路板，及与电路板连接的插脚；所述保护壳外侧设有与电路板联通的安装腔；所述热敏电阻设于安装腔内。

其进一步技术方案为：所述安装腔设有封装盖；所述封装盖压合在保护壳外侧，且设有出线孔。

其进一步技术方案为：所述热敏电阻与电路板之间设有隔离片。

其进一步技术方案为：所述保护壳位于安装腔的另一侧设有导热片；所述导热片用于传导IGBT本体的热量。

一种带IGBT的电磁炉电路，包括上述的IGBT；所述IGBT的门极G与推挽电路连接，集电极C与输入电路连接，发射极E接地；所述热敏电阻与电磁炉的控制单元连接。

其进一步技术方案为：所述推挽电路包括三极管Q1、三极管Q3；其中，三极管Q1为NPN型三极管，三极管Q3为PNP型三极管；所述三极管Q1的发射极与三极管Q3集电极连接；所述三极管Q1的集电极与输入电压连接，三极管Q3的发射极接地；所述三极管Q1、三极管Q3的基极与信号发生电路连接。

其进一步技术方案为：所述信号发生电路与三极管Q1、三极管Q3的基极之间设有三极管Q2；所述三极管Q2的集电极均与三极管Q1、三极管Q3的基极连接，基极与信号发生电路连接，发射极接地。

其进一步技术方案为：所述信号发生电路与三极管Q1、三极管Q3的基极之间还设有电阻R8、电阻R9；所述电阻R8与电阻R9串联，并且与三极管 Q2形成并联连接；所述输入电压与电阻R8、电阻R9之间的节点连接，并且电压输入端通过电容C18接地。

其进一步技术方案为：所述三极管Q1、三极管Q3的基极通过电容C28接地。

其进一步技术方案为：所述IGBT的门极G与发射极E之间电阻R6、稳压二极管DW1；所述电阻R6、稳压二极管DW1并联。