[实用新型]具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管

权利要求书

1.一种具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管，所述集成门极换流晶闸管依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极，还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极，其特征在于，该集成门极换流晶闸管p基区由在其水平方向上分隔为两个或两个以上的p基区子区域组成，各p基区子区域均具有独立的阴极和门极，各区域间门极与阴极相互隔离。

2.根据权利要求1所述的集成门极换流晶闸管，其特征在于，所述相邻的p基区子区域之间在其垂直截面方向上不完全分隔或完全分隔。

3.根据权利要求1或2所述的集成门极换流晶闸管，其特征在于，所述p基区在其水平方向上分隔，通过在p基区平面上挖槽实现。

4.根据权利要求1或2所述的集成门极换流晶闸管，其特征在于，所述p基区在其水平方向上分隔，通过在p基区的掩蔽扩散方式制备而实现。

5.根据权利要求1或2所述的集成门极换流晶闸管，其特征在于，通过调整封装结构增加所述各p基区子区域中阴极串联电感，且该电感不在对应门阴极换流回路中，各p基区子区域阴极在通过该换流电感后汇聚。

6.根据权利要求1或2所述的集成门极换流晶闸管，其特征在于，加装至少一个外部电感，以增加所述各p基区子区域中阴极串联电感，且该电感不在对应门阴极换流回路中，各p基区子区域阴极在通过该换流电感后汇聚。

7.根据权利要求1或2所述的集成门极换流晶闸管，其特征在于，配置门极驱动模块，使针对于不同阴极驱动的电路参数或关断时序有所差别。

8.根据权利要求1或2所述的集成门极换流晶闸管，其特征在于，所述各p基区子区域的芯片结构为中心对称结构，或p基区子区域的芯片结构与封装结构均为中心对称结构。