[实用新型]一种非等间距的MWT太阳能电池片的正面电极有效
申请号: | 201822229684.9 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN209471976U | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 黄智;徐涛;李质磊;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司;无锡日托光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 孙承尧 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 副栅 正面电极 主栅 电极点 太阳能电池片 本实用新型 载流子收集 载流子 光电转换效率 最小重复单元 十字形分布 电池正面 激光打孔 孔洞位置 正面银浆 电池片 面积和 电极 条数 遮光 复合 图案 保证 | ||
本实用新型公开一种非等间距的MWT太阳能电池片的正面电极,MWT电池正面电极按N×N均匀分布阵列形成正面电极;每个正面电极最小重复单元的中心有一个电极点,此电极点与激光打孔孔洞位置一一对应;连接电极点设置4条呈十字形分布图案的主栅,主栅上连接若干副栅,副栅与其连接的主栅的夹角大于45°,各条副栅与主栅的夹角可以相同或不同相同。本实用新型降低了副栅上载流子收集不均引起的串阻增加,从而降低载流子的复合率,提升MWT电池片光电转换效率;在保证相同载流子收集效果前提下,可以缩减副栅条数,从而降低了正面遮光面积和正面银浆耗量。
技术领域
本实用新型涉及一种非等间距的MWT太阳能电池片的正面电极,属于MWT太阳能电池组件加工技术领域。
背景技术
目前,MWT电池因其效率高,遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。MWT硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面栅线收集的载流子穿过电池转移至电池背面,以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的。MWT电池片的载流子收集有别于常规电池片,使得MWT电池正面电极图形的设计成为其关键技术之一。
出于对硅片外形和对称原则方面的考虑,MWT电池通常采用N×N均匀分布结构的正面电极结构以达到最佳的载流子收集效果。其中,每个最小正方形正面电极单元的中心对应一个激光孔洞,此电极点通过与其连接的正面栅线将最小正面电极单元中收集的载流子,并穿过电池转移至电池背面正面电极的负极。由此,MWT正面电极图形设计将围绕电极点和周围主栅、副栅的分布上面进行。从MWT技术发展看,正面电极阵列经历4×4→5×5→6×6的发展,并有继续增加的趋势;连接电极点的主栅主要按4、8、12、16的方式排布设计;副栅按等间距直线、弯曲线等方式连接主栅或直接连接电极点。
目前,专利CN201520527578.2公布了一种MWT正面电极图形(图1、图2),正面电极按N×N均匀分布阵列形成正面电极(图1),每个正面电极最小重复单元中心的电极点与激光打孔孔洞位置一一对应。连接电极点设置4条十字形图案的主栅线,主栅线上连接若干均匀排布的副栅,相邻最小电极单元之间的副栅连接形成回字形图案。该发明作为目前业内唯一量产MWT电池的正面电极图形,其在保证低遮光面积的同时,有效降低了串联电阻,从而提高了MWT电池的转换效率和降低了成本。
目前的MWT硅太阳能电池片正面图形存在的缺陷:
相对MWT电池电极孔洞,在副栅接近主栅或电极孔洞处所收集的载流子可以很快到达主栅,在副栅远离主栅或电极孔洞处所收集的载流子需要经过副栅传递很长距离才能到达主栅或电极孔洞。相同副栅宽度和均匀分布的副栅设计将引起载流子收集不均引起的串阻增加,增加载流子的复合率。
实用新型内容
实用新型目的:针对现有技术中存在的问题与不足,本实用新型提供一种非等间距的MWT太阳能电池片的正面电极。
技术方案:一种非等间距的MWT太阳能电池片的正面电极,MWT电池正面电极按N×N均匀分布阵列形成正面电极。每个正面电极最小重复单元的中心有一个电极点,此电极点与激光打孔孔洞位置一一对应。连接电极点设置4条呈十字形分布图案的主栅线,主栅线上连接若干副栅,副栅与其连接的主栅的夹角大于45°,各条副栅与主栅的夹角可以相同或不同相同。
每个电极点可以设置0条或4条副栅直接连接中心电极点。与电极点直接相连的副栅,其与主栅之间的夹角等于45°。
其中,电极点图形可为圆形、多边形,直径可在0.01-10mm不限。
连接电极点的主栅可为直线或曲线,主栅宽度呈竹节逐渐降低,且离电极点越远,栅线宽度越低。
连接主栅和电极点的副栅可为直线或曲线,副栅宽度呈均匀或阶梯变化,当采用阶梯变化时,离主栅越远、栅线宽度越低。
副栅之间的间距可以采用非等间距或等间距排布,当采用非等间距排布时,离电极点越远,栅线之间的间距越大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的