[实用新型]一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构有效
| 申请号： | 201822230095.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209656765U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 黄海滨;殷晓宇;杨超 | 申请（专利权）人： | 无锡思泰迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R15/20 | 分类号： | G01R15/20;G01R19/00 |
| 代理公司： | 32227 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 张宁;杨辰<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 霍尔器件 导体 上层位置 映射 垂直 直线距离 相等 开口 电流传感器结构 本实用新型 电流传感器 磁场检测 对称布置 相邻通道 磁干扰 双通道 有效地 检测 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构，其包括带U形凹槽的导体，其特征在于，所述导体包括两个且对称布置，一个所述导体内侧的U形凹槽开口内垂直映射到上层位置处设置有一个第一内侧霍尔器件、外侧垂直映射到上层位置处设置有第一外侧霍尔器件，另一个所述导体内侧的U形凹槽开口内垂直映射到上层位置处设置有一个第二内侧霍尔器件、外侧垂直映射到上层位置处设置有第二外侧霍尔器件，所述第一内侧霍尔器件到所述第二内侧霍尔器件、第二外侧霍尔器件的直线距离相等，所述第二内侧霍尔器件到所述第一内侧霍尔器件、第一外侧霍尔器件的直线距离相等。
2.根据权利要求1所述的一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构，其特征在于，所述导体对称结构，所述第一内侧霍尔器件、第二内侧霍尔器件位于所述导体的U形凹槽中心处且处于所述导体自身的对称线上。
3.根据权利要求2所述的一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构，其特征在于，所述第一外侧霍尔器件和/或所述第二外侧霍尔器件包括以所述导体自身的对称线对称布置的两个。
4.根据权利要求1所述的一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构，其特征在于，U形凹槽外侧的所述导体处为圆弧面。
5.根据权利要求4所述的一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构，其特征在于，所述导体为包括U形部和两侧对称布置的左右对称多边形的异形导体。
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